Fractilia推出全新随机性误差的量测解决方案
- 赖品如/台北
适用于先进半导体制造的随机性(stochastics)微影图案误差量测与控制解决方案领导业者Fractilia,今天宣布推出最新版本的Fractilia自动化量测平台(FAME),让半导体晶圆厂得以管控因受到随机性误差影响甚钜的极紫外光微影(EUV)制程所产生的良率问题,而这项挑战损失的金额可达数十亿美元。FAME平台提供独特且具高精准度的随机性微影图案误差量测,而随机性误差是先进制程上最大的微影图案(patterning)错误来源。晶圆厂在FAME的协助下,能更快做出更好的决策,以解决随机性微影图案误差这个新型良率杀手,并拿回对先进微影图案制程的控制权,同时提升元件良率与曝光机与蚀刻机的生产力。此一最新发表的FAME版本建构于Fractilia经验证的第三代Fractilia反向线扫描模型(Fractilia Inverse Linescan Model;FILM)工具,该平台已获前五大芯片制造商当中的四家业者采用。
TechInsights副董事长G. Dan Hutcheson表示:「半导体制造进入EUV生产时代,随机性误差成为最主要的良率问题。Fractilia创始人Ed Charrier及Chris Mack率先对随机性误差所产生的良率问题提出警觉,并以产业领导者的角色,透过随机性误差控制解决方案协助产业解决难题。Ed Charrier及Chris Mack在将创新技术转化为成功走入市场的产品方面有着绝佳的纪录。他们二十年前在FINLE Technologies开发了PROLITH微影建模和数据分析软件,不仅引领时代,亦是当今晶圆厂制程中的重要支柱。此外,FILM已被证实为助益EUV从实验室进入晶圆厂的实用工具。」
段标:随机性误差的两难:如何管控无法量测准确的目标值
微影随机性误差是随机出现且不会重复的图案化错误。在EUV制程中,微影制程图案错误的制程容错空间,可能超过一半都耗费在随机性误差上。晶圆厂要控制这个问题就必须量测制程随机性误差;然而,现有的方法并不够准确,而先进制程晶圆厂已无法负担因忽视随机性误差所导致良率损失的后果。制程随机性误差对于先进波长193纳米光学微影,早已是个问题,特别是双重曝光和四重曝光微影制程,而在EUV制程中,由于图案进一步微缩,制程随机性误差则会更大幅降低良率而造成成本大幅提升。
Fractilia技术长Chris Mack表示:「制程随机性误差迫使晶圆厂必须在良率与生产力间取舍。业者不是得增加EUV曝光的剂量来降低随机误差,以避免良率的损失,就是得额外增加一台EUV扫描机来弥补流失的生产力。藉由精准量测并控制制程随机性误差,晶圆厂可以优化并提升内部制程设备的生产力及良率。我们的FAME平台具备独特的功能,能以高精准度量测并控制随机性误差,为客户带来无法透过其他方式取得的全新制程优化选项与解决方案。我们观察到,客户使用我们的产品量测到的扫描式电子显微镜(SEM)影像数量呈指数成长,这也让Fractilia成为业界公认的制程随机性图案误差量测标准。」
段标:随机性误差的两难:如何管控无法量测准确的目标值
微影随机性误差是随机出现且不会重复的图案化错误。在EUV制程中,微影制程图案错误的制程容错空间,可能超过一半都耗费在随机性误差上。晶圆厂要控制这个问题就必须量测制程随机性误差;然而,现有的方法并不够准确,而先进制程晶圆厂已无法负担因忽视随机性误差所导致良率损失的后果。制程随机性误差对于先进波长193纳米光学微影,早已是个问题,特别是双重曝光和四重曝光微影制程,而在EUV制程中,由于图案进一步微缩,制程随机性误差则会更大幅降低良率而造成成本大幅提升。
Fractilia技术长Chris Mack表示:「制程随机性误差迫使晶圆厂必须在良率与生产力间取舍。业者不是得增加EUV曝光的剂量来降低随机误差,以避免良率的损失,就是得额外增加一台EUV扫描机来弥补流失的生产力。藉由精准量测并控制制程随机性误差,晶圆厂可以优化并提升内部制程设备的生产力及良率。我们的FAME平台具备独特的功能,能以高精准度量测并控制随机性误差,为客户带来无法透过其它方式取得的全新制程优化选项与解决方案。我们观察到,客户使用我们的产品量测到的扫描式电子显微镜(SEM)影像数量呈指数成长,这也让Fractilia成为业界公认的制程随机性图案误差量测标准。」