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英飞凌扩大马来西亚宽能隙半导体产能 增强市场领导地位

  • 赖品如台北

英飞凌位于马来西亚居林的前端制造基地鸟瞰图。英飞凌
英飞凌位于马来西亚居林的前端制造基地鸟瞰图。英飞凌

英飞凌科技将大幅提升宽能隙(碳化矽和氮化镓)半导体的产能,进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元,在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后,新厂区将用于生产碳化矽和氮化镓功率半导体产品,每年可为英飞凌创造20亿欧元的营收。

此次扩建是英飞凌根据公司半导体生产制造长期战略而做出的决策,居林工厂在8寸晶圆生产方面所取得的规模经济效应为该专案打下了良好的基础。英飞凌位于奥地利菲拉赫和德国德勒斯登的12寸晶圆厂奠定了公司在半导体市场的领导地位。居林工厂的投资扩产将进一步巩固和提升这一领先地位,强化公司整体的竞争优势。这种竞争优势的形成来自于英飞凌「从产品到系统」的战略方针,以及在该方针指引下所实现的技术领先性、全面的产品组合以及对应用的深刻理解。

英飞凌营运长Jochen Hanebeck表示:「创新技术和绿电能源的应用,是降低碳排放的关键。再生能源和电动汽车是推动功率半导体市场持续强劲成长的主要驱动力。英飞凌透过扩大碳化矽和氮化镓功率半导体的产能,为迎接宽能隙半导体市场的快速发展做好准备。我们正在将位于菲拉赫的开发能力中心与居林工厂高成本效益的宽能隙功率半导体生产制造相结合,打造成功的组合。」

段标:两处拥有宽能隙半导体量产能力的工厂将增强供应链弹性

目前,英飞凌已向3,000多个客户提供基于碳化矽的半导体产品。这些半导体产品在效率、尺寸和成本方面具有比矽基半导体更优异的系统效能,被广泛应用于个个领域,为客户创造了更高的价值。英飞凌秉承「从产品到系统」的战略方针,拥有领先的基础技术、丰富的产品组合与封装制程,以及无与伦比的应用专长,推动了碳化矽半导体在工业电源、光伏、交通运输、驱动、汽车和电动车充电等核心领域的应用。

英飞凌目标至本世纪20年代中期,碳化矽功率半导体的销售额将提升至10亿美元。同时,氮化镓市场预计也将迎来激增,从2020年的4,700万美元增至2025年的8.01亿美元(年复合成长率76%;数据来源:Yole发布的2021年第3季度化合物半导体市场监测报告)。英飞凌对系统和应用的理解领先业界,拥有广泛的氮化镓知识产权组合,以及强大的研发实力。

居林新厂区满负荷运转之后,将创造900个高价值型就业机会。新厂区将于2022年6月开始施工,在2024年夏季进行设备安装。首批晶圆将于2024年下半开始出货。对居林工厂的新增投资主要用于磊晶制程和晶圆切割等具有高附加值的环节。

马来西亚资深部长暨国际贸易与工业部长拿督Seri Mohamed Azmin Ali表示:「在英飞凌遍布全球的业务网络中,马来西亚是非常重要的地区枢纽之一。英飞凌此次扩大投资,也再度证明了马来西亚具备有利的生态系统和本土人才可以支持业务的长期成长。政府将透过马来西亚投资发展局(MIDA),持续与战略投资者密切合作,以巩固马来西亚作为区域重要半导体产业枢纽的特殊地位。」

段标:菲拉赫将进一步强化其宽能隙半导体技术全球能力中心的角色

未来几年,菲拉赫工厂将透过改造现有的硅片制造设备,进一步强化其作为宽能隙半导体技术全球能力中心和创新基地的角色。透过重新利用非专用的硅片生产设备,将6寸和8寸的硅片生产线转作为碳化矽和氮化镓元件的生产线。菲拉赫工厂目前正为迎接进一步的成长机会做准备。