英飞凌携手Panasonic加速650V GaN功率装置的GaN技术发展

出色的效能、可靠性及以8寸矽基氮化镓(GaN-on-Si)晶圆生产的能力，凸显出英飞凌与Panasonic在需求日益成长的GaN功率半导体领域进行了策略性拓展。英飞凌

英飞凌科技和Panasonic公司已针对共同开发及生产第二代(Gen2)氮化镓(GaN)技术签订合约，基于已获认可接受的GaN技术，Gen2技术将提供更高效率和功率密度水准。

出色的效能、可靠性及以8寸矽基氮化镓(GaN-on-Si)晶圆生产的能力，凸显出英飞凌在需求日益成长的GaN功率半导体领域的策略性拓展。为了因应市场需求，Gen2将会开发为650V GaN HEMT。该装置具备易使用性和更高的性价比，主要应用包括高功率与低功率的SMPS应用、再生能源、马达驱动等。

对许多设计而言，氮化镓(GaN)可提供比矽更多的基础优势。与矽MOSFET 相比，GaN HEMT具备出色的特定动态导通电阻和较小的电容，因此符合高速切换的要求。能达到省电、系统总成本降低、可在较高频率下操作、提高功率密度和整体系统效率等效益，使GaN成为对设计工程师而言极有吸引力的选项。

英飞凌电源与传感系统事业部总裁Andreas Urschitz表示：「除了具备与第1代相同的高可靠性标准外，由于改采8寸晶圆制造，客户将可受惠于更易于控制的晶体管以及大幅改善的成本定位。」如同双方合作开发的第1代装置(英飞凌CoolGaN和Panasonic X-GaN)，第二代装置将会以常关型矽基氮化镓(GaN-on-silicon)晶体管结构为基础。在此基础上结合混合汲极嵌入式闸极注入晶体管(HD-GIT)结构无可比拟的稳固性，让这些元件成为市场上的首选产品，同时成为长期最可靠的解决方案之一。

Panasonic工业解决方案公司工程部门副总监Tetsuzo Ueda表示：「我们很高兴能够和英飞凌在GaN元件方面继续合作。在这样的合作下，我们将透过最新创新发展，供应高品质的第1代和第2代装置。」