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GMIF 2026直击 三星半导体推出400层AI存储方案

  • 周建勳/台北

9月23日,由深圳市存储器行业协会与北京大学集成电路学院联合主办的第五届GMIF创新峰会于会中发表《存储变革:构筑智能体AI的基础》专题演讲,剖析代理式AI时代的存储技术挑战,并展示从服务器SSD至边缘端zNAND-O的全叠层存储产品布局。

三星电子副总裁、Memory事业部首席技术官Kevin Yoon于会中发表《存储变革:构筑智能体AI的基础》专题演讲。GMIF

三星电子副总裁、Memory事业部首席技术官Kevin Yoon于会中发表《存储变革:构筑智能体AI的基础》专题演讲。GMIF

Kevin Yoon指出,人工智能正沿「生成式AI—代理式 AI—实体AI」路径演进,当前已进入代理式 AI阶段。该阶段以「规划、移动、反思」循环为核心运行机制,多代理式 AI协作执行复杂任务并产生海量Token,直接推高KV Cache的容量与复用需求。他援引数据称,前瞻模型训练数据规模每年成长约2.9倍,过去两年推论Token用量成长近100倍,中国每日Token消耗量已达140万亿。当KV Cache膨胀至显示存储器无法承载,独立共享存储层级成为必然选择,并需按数据生命周期分层配置介质:保留1小时以内用pSLC(DWPD大于25)、8小时以内用TLC(DWPD约3)、1周以内用QLC(DWPD小于0.2)。

在KV Cache共享存储场景中,SSD的高容量、高效能与耐用性已成为关键考量指标。

PM1763与BM1773形成服务器SSD双线布局

针对KV Cache共享存储的高带宽、低延迟和大容量需求,Kevin Yoon在演讲中发表了效能旗舰PCIe Gen6 SSD PM1763和容量旗舰BM1773两款服务器SSD产品。效能旗舰PCIe Gen6 SSD PM1763将于2026年第4季度送样。该产品采用V-NAND TLC颗粒与PCIe Gen6界面,配备强化散热系统,Kevin Yoon称其「实现了世界最佳效能」。容量旗舰BM1773基于V9 QLC颗粒、容量从16TB至256TB,以紧凑外形整合256TB容量,被称为「世界上最小的256TB SSD」,在面积利用率、效能与可靠性方面全面提升。

Kevin Yoon:「凭藉这两款SSD,我们将同时推动效能型和容量型市场。」

凭藉这两款SSD,三星半导体将同时推动效能型和容量型市场。GMIF

凭藉这两款SSD,三星半导体将同时推动效能型和容量型市场。GMIF

V10提供业界首款超400层V-NAND制程底座

在NAND底层制程上,Kevin Yoon在会上重点介绍了三星最新推出的第十代V-NAND产品V10 BV-NAND。三星V-NAND自2013年推出首款24层V1以来持续推进垂直堆叠创新,此次V10堆叠层数突破400层,为业界首款超400层V-NAND产品。

相比上一代V9,V10位元密度提升58%,I/O速度提升33%,功耗降低25%。Kevin Yoon表示,V10的关键在于先进键合技术,存储单元与周边电路分别制造后垂直键合,为高密度堆叠提供关键支撑。

据了解,V10 BV-NAND于2026年8月在美国FMS 2026快闪存储器峰会首次发表,并获评FMS 2026 3D与NAND创新奖。

zNAND-O以10倍位元密度承接边缘端AI需求

演讲最后,Kevin Yoon将话题转向边缘端AI。到2030年AI模型规模预计将超过1万亿参数。传统统一存储器架构(UMA)下,全部模型权重置于DRAM,边缘端AI存储成本将激增。为此三星推出zNAND-O边缘端存储新品类。Kevin Yoon指出,目前正在开发的4层与8层堆叠版本,以SLC单层存储单元为核心,整合TSV矽穿孔技术。MPU与zNAND-O合封并透过UCIe标准界面连接,支持向上、向外扩展。技术指标方面,zNAND-O位元密度达到DRAM的10倍,读取带宽与读取能效达到NAND Flash的7倍。

Kevin Yoon现场基于月之暗面Kimi K2-1T模型进行系统模拟,结果显示,在相同效能水准下,采用zNAND-O的NPU优化存储器架构使存储器成本降至原来的四分之一,并可容纳规模近两倍的模型。

Kevin Yoon:「我们相信,这些就是Z-NAND为客户带来的核心价值。

三星半导体连续第二届获颁GMIF创新峰会奖项。GMIF

三星半导体连续第二届获颁GMIF创新峰会奖项。GMIF

获颁杰出AI存储产业引领奖

峰会同期对AI存储产业链在核心技术突破与算力生态共建方面做出突出贡献的企业进行评选,并于会上发表评选结果。上海三星半导体有限公司凭藉在DRAM与NAND领域的持续技术引领,荣获「杰出AI存储产业引领奖」。

三星半导体持续引领DRAM与NAND技术发展方向,面向代理式 AI时代,率先推动zNAND-O 3D存储架构、超400层V10 NAND以及CXL存储器等前瞻技术的创新与落地,加速赋能推论、大算力扩容、存储智能等关键场景,为全球存储产业发展提供标竿指引,更为全球AI基础设施建设提供重要支撑。

三星半导体连续第二届获颁GMIF创新峰会奖项,继2025年以「杰出存储技术引领奖」获奖后本届再度蝉联,成为会中持续获肯定的存储指标企业之一。

本次峰会不仅汇聚了全球存储产业链的精英,更透过三星电子副总裁Kevin Yoon的精彩演讲,为产业揭示了代理式 AI时代存储技术的发展方向。从KV Cache重构存储分层,到400层V10与zNAND-O的全叠层布局,三星半导体以连续两届峰会主讲身份,持续为产业提供技术路径参考。面对中国市场,Kevin Yoon表示,过去十年三星持续发表产品规格与白皮书,赋能中国数据中心产业发展,并已准备好参与任何能推动中国AI成长的技术环境。