光鼎电子推出 ThermaFlat™ SiC MOSFET 系列 独创技术突破高温电阻瓶颈抢攻 AI 与新能源商机

随着 AI、高效能运算（HPC）、新能源及电动交通（e-Mobility）应用快速成长，市场对电源系统的要求，已由过去的「高转换效率」，全面升级为「高可靠度、高功率密度与低损耗」的严苛标准。

台湾上市公司光鼎电子推出 ThermaFlat™ SiC MOSFET 系列产品。凭藉独创的 Ultra-Low R_DS(on) Drift 技术，该元件在高温高负载下能维持电阻稳定，保障电源系统的高效与运作安全，为新时代高功率设备提供最具竞争力的功率元件。

ThermaFlat™ 技术：打破高温电阻上升瓶颈，斩断热失控恶性循环

一般 SiC MOSFET 的导通电阻（R_DS(on)）具有正温度系数，当元件于高温运作时，电阻会随温度升高而增加，进而产生更多废热，提高热失控与系统失效的风险。

光鼎 ThermaFlat™ SiC MOSFET 的 Ultra-Low R_DS(on) Drift 技术大幅降低电阻受温度影响的程度。以 650V、21mΩ 产品（TO-247-3 封装）为例，当芯片接面温度（Tj）由 -25°C 提升至 +125°C 时，电阻变化幅度仅约 8%，远低于一般同级产品，同时仍保有优异的切换损耗（switching loss）表现，能协助系统大幅降低散热成本。1200V 系列产品亦展现极低的温度系数，可有效提升电源系统整体性能。

完整产品布局，兼顾高抗干扰与成本优势

为满足多元市场需求，光鼎已建立完善的 ThermaFlat™ 功率元件产品布局。除了已在市场稳定供货的 ThermaFlat™ I 系列之外，光鼎本次正式推出全新 ThermaFlat™ II 系列，提供客户更具抗干扰与简化设计优势的新选择：

• ThermaFlat™ I 系列： 提供 650V、1200V 至 1700V 的完整电压型号与多元封装（如 TO-247-3L/4L、TOLL-8L、Q-DPAK 等），可直接对应市场主流电源架构，缩短开发时程。
• ThermaFlat™ II 系列： 采用 High V_GS(th) 高闸极临界电压设计，提升系统抗干扰能力，驱动电路无须负电压关断即可稳定运作，简化设计并降低成本。

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发挥整合优势，深耕全球功率半导体市场

光鼎功率半导体事业部洪敏清副总表示，公司核心竞争力在于「高质量与一致性」、「提高电源系统性能稳定度与降低系统成本」以及「稳定快速的供货能力」。凭藉优异的晶圆良率、自有封装工厂，以及完整的供应链整合能力，光鼎不仅能提供高效能元件，更能依据客户需求建立安全库存机制，有效降低夥伴的供应链风险。

展望未来，光鼎将持续加大研发投入，加速光电与功率半导体的技术双轨创新。公司将携手全球客户与合作夥伴，共同推动高效率绿色能源应用，迎向 AI 与新能源驱动的永续未来。

【关于光鼎电子（Para Light）】

光鼎电子（股票代号：6226）创立于 1987 年，为全球知名之 LED 封装与电子元件制造商。近年凭藉深厚的封装与供应链整合实力，积极跨足功率半导体领域。光鼎电子于台湾、中国、美国、印度及缅甸设有全球营运与制造基地，致力于为全球客户提供高效能、高可靠度的光电与功率半导体解决方案。 官方网站：www.para.com.tw

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