Floadia推出基于TSMC 180BCD Gen3平台的车规级嵌入式快闪存储器IP

总部位于日本东京的嵌入式快闪存储器IP（eFlash IP）开发商 Floadia Corporation（以下简称「Floadia」）宣布，推出其最新的车规级eFlash IP——G1，该IP基于TSMC的180BCD Gen3工艺平台实现。此次发布的全新IP旨在满足新一代汽车应用对可靠性和性能的严苛要求。

G1车规级eFlash IP整合了基于SONOS技术的256KB程序快闪存储器巨集和1KB数据快闪存储器巨集，为汽车集成电路提供高可靠性、高成本效益的非易失性存储解决方案。G1 eFlash工艺是在TSMC的标准180BCD Gen3平台基础上进行添加，无需对原有PDK进行任何修改，使客户能够在使用同一经认证PDK的同时，将嵌入式快闪存储器无缝整合至其设计中。该IP已在TSMC 180BCD Gen3平台上成功通过AEC-Q100 Grade 1全套认证，充分验证了其在严苛汽车工作条件下的稳定性，已具备量产条件。

该eFlash IP由以下部分组成：
- 256KB程序快闪存储器（PFlash），用于代码存储
- 1KB数据快闪存储器（DFlash），具备10万次程序设计/擦除耐久性，可实现类似EEPROM的数据存储功能

PFlash与DFlash均针对高速运行进行了优化，擦除时间最长不超过20毫秒，显着提升了系统性能，并缩短了汽车系统中固件更新的时间。

为简化系统整合，G1 eFlash IP内置了电荷泵，无需外部高压电路。此外，PFlash与DFlash均为ECC接口提供了8位奇偶校验码，确保器件在整个生命周期内具备高数据完整性与可靠性。

凭藉其经过验证的SONOS架构、快速擦除性能以及完整的车规级认证，Floadia基于TSMC 180BCD Gen3平台的G1 eFlash IP非常适用于各类汽车应用，包括电源管理IC、电机驱动器、车身电子及其他汽车系统。

关于Floadia Corporation

Floadia Corporation成立于2011年，由一支经验丰富的工程师团队创立，团队成员曾在Hitachi, Ltd. 和 Renesas Technology（现更名为Renesas Electronics Corporation）从事嵌入式非易失性存储技术开发逾20年。Floadia专注于授权嵌入式非易失性存储器的专有工艺技术与电路设计，该存储器广泛应用于微控制器、功率半导体、传感器及其他半导体器件。这些技术作为高价值知识产权（IP）提供给全球半导体制造商。