Taiyo Holdings推出次时代半导体封装材料FPIM (TM) Series 成功于12寸晶圆上首次实现CD 1.6微米三层RDL结构
- 美通社
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- 论文发表于14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ 2025) -
总部位于东京的Taiyo Holdings Co., Ltd.（证券代码：4626；以下简称「Taiyo Holdings」）于2025年11月13日在14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2025)上发表与全球顶尖半导体研究机构imec共同撰写的论文，重点介绍了作为次时代半导体封装材料开发的、用于大马士革工艺的细间距RDL (*1)负型光敏绝缘材料「FPIM (TM) Series」（以下简称「该材料」）。
RDL是实现先进半导体封装结构中高效电气连接的重要技术，目前主要采用半加成工艺(SAP) (*2)制造。imec指出，随着布线细微化需求发展，未来要形成线间距1.6微米及以下的互连结构，大马士革工艺(*3)将成为必要技术。为此，Taiyo Holdings持续开发专用于大马士革工艺的次时代细间距RDL材料，并自2022年10月起与imec展开共同研究。本研究运用该材料在12寸晶圆上成功形成三层RDL结构，经评估各层布线间距均达成目标规格：晶圆上RDL1层CD (*4)达1.6微米、通孔层CD为2.0微米（通孔中心间距为CD 4.0微米）、RDL2层CD为1.6微米。这些数值极接近本研究采用的低NA stepper (*5)的解析极限。此外，针对CD 1.6微米的RDL1层进行电气特性评估，其漏电电流与阻抗表现均属良好。透过与imec的共同研究，确认该材料具备优异电气特性、高分辨率，以及适应CMP工艺(*6)的品质要求。
未来，公司目标是实现在CD 500纳米或更小的晶圆上构建RDL，并持续验证电气特性之长期性能与可靠性。Taiyo Holdings将持续开发有助推动半导体封装领域进步的材料，包括进一步提升AI半导体性能。此外，该材料已于2025年开始提供R&D用小批量样品。
注：
（*1）RDL（重布线层）为形成于半导体芯片表面、用以重新分布电气布线的层状结构。
（*2）先于整体表面形成薄籽晶层，再透过电镀于布线区域形成布线图形之法。
（*3）于绝缘膜形成布线沟槽，透过溅镀、CVD、电镀等方式填充沟槽并形成图形之法。
（*4）CD（关键尺寸）指微细图形的尺寸规格。
（*5）Veeco Low NA (0.16) i-line曝光系统AP300（第一代）。
（*6）CMP（化学机械平坦化）工艺是半导体制造中透过化学与机械作用使晶圆表面平坦化的制程。
共同发表论文标题
Development of 1.6 micrometer Fine-Pitch RDL Damascene Process using Low-NA i-Line Stepper and a New Negative-tone Photosensitive Dielectric Material（使用Low-NA i-Line Stepper和新的负型光敏介电材料开发1.6微米细间距RDL大马士革工艺）
评估样品结构：
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI1fl_9Rzhabg4.png
产品图片：
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI2fl_yb3oqDfr.png
关于imec与Taiyo Holdings的合作
总部位于比利时的imec，全称为「Interuniversity Microelectronics Centre」，是全球最大的半导体研究机构之一，透过与全球大学及企业合作推动开放创新，促进前沿半导体技术发展。2022年10月，imec与Taiyo Holdings开始就大马士革工艺用细间距RDL负型光敏绝缘材料（一种次时代半导体封装材料）展开共同研究。自2024年11月起，Taiyo Holdings派驻研究员至imec，建立更紧密合作环境，持续进行先进半导体材料之日常研发工作。
- Taiyo Holdings Co., Ltd.公司概况：
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202511108806-O1-ttbIvpYv.pdf
