聚焦先进封装与异质整合 思渤解析热电耦合与高速互连技术

聚焦先进封装与异质整合，思渤解析热电耦合与高速互连技术。思渤

随着高速通讯应用持续发展，芯片朝向更高效能、高带宽与高整合度演进，2.5D/3D IC、Chiplet、HBM 等先进封装与异质整合技术，也逐渐成为突破芯片效能与系统整合限制的重要关键。然而，当封装密度与芯片功耗持续攀升，散热、电源完整性、信号完整性及系统可靠度等问题也更加复杂，电、热与电磁效应彼此交互影响，使工程团队必须从单一物理分析进一步走向多物理场整合验证，以更贴近产品实际运作情境。

因应先进封装所面临的多物理设计挑战，思渤科技受工业技术研究院（ITRI）邀请，于「先进封装与异质整合技术趋势研讨会」担任讲师，分享两项多物理模拟技术与应用。首先由思渤科技CAE资深技术副理李钰堂分享「电子散热与热电耦合之模拟分析与应用」，聚焦电子系统中电—热耦合所衍生的温升、功率变化与元件可靠度问题，并透过Ansys多物理场整合平台建立电磁与热分析整合流程，搭配自动化技术，加速设计迭代并提升系统散热效能与可靠度。

接续则由思渤科技CAE资深技术副理陈冠忠分享「先进封装高速互连之热电耦合分析与应用：从DCIR到 Thermal-Aware S-Parameter」。针对2.5D/3D IC、Chiplet、HBM与PCIe 6.0/7.0、UCIe等高速互连架构，说明温度变化如何进一步影响材料特性、导体损耗、阻抗与信号完整性。并透过Ansys多物理场整合平台，建立高速互连双向热电耦合模拟流程，协助工程团队于设计初期掌握热效应对电性表现的影响。

面对先进封装与异质整合技术持续朝向高密度、高功耗与高速互连发展，跨物理场之间的交互影响已成为产品设计不可忽视的重要环节。透过此次研讨会，思渤科技将实务模拟经验与产业应用相互结合，协助工程团队从设计前期即掌握潜在的电、热与电磁问题。

未来，思渤科技也将持续深化多物理场模拟与先进封装相关技术应用，协助产业缩短产品开发周期、降低设计风险，并提升新时代电子系统的效能与可靠度。