ST全新电气隔离闸极驱动器 先进隔离技术简化功率系统

意法半导体全新电气隔离闸极驱动器以强化隔离设计简化功率系统设计。意法半导体

全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，NYSE：STM；ST）进一步扩充STGAP3S闸极驱动器系列。此系列采用强化电气隔离设计，可提高可靠性；此次新增高效率且具成本效益的3A系列，适用于驱动电流需求较低的电路。其中，全新STGAP3S3S针对碳化矽（SiC）MOSFET最佳化，STGAP3S3IF 则适用于IGBT。

所有STGAP3S闸极驱动器皆可搭配最高1200V的高压电源轨运作，适用于功率因数校正（PFC）、电源供应器、DC/DC转换器及逆变器等电路。产品并取得UL 1577、IEC 60747-17等国际安全与绝缘认证，其隔离能力、安全运作，以及在高电压环境下的长期可靠性均获独立验证。典型应用包括充电站、储能系统（ESS）、太阳能逆变器、堆高机等工业电动车、感应加热设备，以及一般驱动设备、泵浦与风扇。

ST采用先进的强化电气隔离技术，可保护功率级电路免受最高9.6kV瞬态电压影响，共模瞬态抗扰度（CMTI）最高可达200V/ns。STGAP3S系列共有三个系列，分别可提供或吸收最高10A、6A，以及此次新增3A的闸极驱动电流，各系列均提供针对IGBT与碳化矽MOSFET最佳化的不同型号。

全新STGAP3S3系列提供3A闸极驱动能力，内建完整的主动式Miller箝位功能，包括箝位MOSFET，可避免功率开关因感应而发生非预期导通，进而防止直通电流。将 MOSFET 整合于驱动器内，不仅可节省 PCB 空间、简化电路设计并减少所需元件，在最高3A的闸极驱动电流下也能提供适当的箝位效能。6A STGAP3S6与10A STGAP3SX系列则内建可驱动外接MOSFET的前级驱动器，让高闸极驱动电流系统能更弹性地最佳化箝位速度。

所有STGAP3S闸极驱动器皆具备去饱和侦测与软关断功能，可控制电压与电流在切换时的变化，并在过载或短路等危险状况下保护功率开关。6A、10A系列以及此次新增、适用于SiC MOSFET的3A型号，也可外接电阻，以最佳化软关断速度。

所有型号皆设有诊断脚位，可显示去饱和保护、欠压锁定（UVLO）及过热关断功能是否启动。此外，这些驱动器支持负闸极电压，可进一步抑制非预期导通，在故障关断时保护元件，并确保正常关断过程中能稳定切换且不产生振铃。

ST也为每款STGAP3S闸极驱动器提供评估板，包括最新推出的3A型号。EVLSTGAP3S3S与EVLSTGAP3S3IF这两款评估板皆采半桥设计，保护功能已预先设定，并提供测试点与诊断LED，协助开发工作。

用于驱动IGBT与SiC MOSFET的STGAP3S全系列，包括STGAP3S3、STGAP3S6及STGAP3SX系列，目前均已量产。这些闸极驱动器采用SO16W宽体封装。更多信息请参阅官网。