创意电子宣布推出采用2纳米制程16Gbps HBM4E IP

GUC HBM4E IP Highlights。GUC

先进ASIC领导厂商创意电子（GUC）近日宣布，其HBM4E PHY与Controller IP已完成设计定案，并已获客户AI ASIC采用。该设计采用台积电（TSMC）最先进的N2P制程与CoWoS-L封装技术。

延续GUC采用TSMC N3P制程并已通过矽验证（silicon-proven）的12GbpsHBM4 IP基础，新一代HBM4E IP在所有可操作条件下，将数据传输速度提升至16Gbps，同时提供业界领先的功耗效率与超小面积。透过 GUC专有的interposer布线技术，该IP针对信号完整性（SI）与电源完整性（PI）进行最佳化，可支持多种TSMC CoWoS封装架构。

为支持3D SoIC架构，GUC HBM4E IP提供专为TSMC SoIC-X技术设计的face-up版本。该IP整合专用 Through-Silicon Vias（TSVs），以支持信号输出与输入，以及向上层芯片提供电源（feedthrough power delivery），为复杂的3D整合架构建立完整的连接路径。

延续GUC已验证的HBM、GLink与UCIe IP产品组合，HBM4E IP亦整合proteanTecs的互连监测技术，大幅提升PHY测试与特性分析之可视性，并强化终端产品于实际运行时的效能与可靠度。

创意电子技术长Igor Elkanovich表示：「HBM4E在带宽与系统层级效能方面，为新一代AI加速器带来重大突破。透过整合我们的face-up HBM、face-up UCIe与GLink-3D IP，GUC提供完整的3D SoIC架构界面IP解决方案，使客户能够无缝整合HBM、chiplet与3D堆叠，并充分发挥最先进制程技术的效能。」

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