ROHM 650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被陆续采用。

本次ROHM将封装制程外包给有丰富实绩的半导体后段制程供应商（OSAT）日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称ATX）。

为了实现无碳社会，「提高电源和马达等用电量占全球一半的应用的效率」已成为全球性课题。其中功率元件正是提高其效率的关键，特别是SiC（碳化矽）、GaN等新时代半导体材料将有望进一步提高各类型电源的效率。

ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产，并于2023年7月将闸极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。

为了对应大功率应用的进一步小型、高效率化的市场要求，ROHM采用在过往DFN8080封装基础上追加的形式，来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内建第2代元件并产品化。

新产品内建TOLL封装的第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输入电容相关的元件性能指标 (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，数值表现达到业界顶级※水准。

这将有助需要高耐压且高速开关的电源系统进一步实现节能和小型化。新产品已于2024年12月投入量产（样品价格 3,000日圆／个，未税），并已开始透过电商平台销售。

关于新产品的量产，ROHM利用在垂直整合生产体系中所累积的元件设计技术和自家优势，进行了相关设计和规划，并于2024年12月10日宣布以此作为与台积公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited；TSMC）合作的一环，前段制程在TSMC生产，后段制程在ATX生产。

另外ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN元件。预计从2026年起，GaN元件在汽车领域的普及速度将会加快，ROHM也计划在加强内部开发的同时，进一步加深与上述合作夥伴之间的关系，加快车载GaN元件投入市场的速度。

日月新半导体（威海）有限公司 董事兼总经理 廖弘昌 表示：「从晶圆制造到封装，ROHM都拥有自己的生产设备，以及先进的制造技术，因此很高兴ROHM外包委托我们生产。我们与ROHM于 2017年开始进行技术交流，并持续探讨深入合作的可能性。因日月新后段制造方面的成绩和技术能力享有盛誉，促成了双方在氮化镓元件领域的合作。另外亦计划就ROHM目前正在开发的车载 GaN 元件展开合作，希望持续加强双方的合作夥伴关系，促进各应用领域的节能化发展，为实现永续发展社会做出贡献。」

ROHM Co., Ltd. AP生产本部 本部长 藤谷 谕 表示：「非常高兴ROHM的TOLL 封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。ROHM不仅提供GaN元件，还提供结合其与融入独家类比技术优势的IC元件的电源解决方案，而且还会再将这些设计过程中累积的专业知识和理念应用到元件设计中。透过与ATX等技术实力雄厚的OSAT合作，ROHM不仅能够跟上快速成长的GaN市场步伐，同时还能不断向市场推出融入ROHM优势的产品。今后我们将继续致力提高GaN元件的性能，促进各类型应用产品的小型化和效率提升，为丰富人类生活贡献力量。」