研究与发展之间的距离
12月初的半导体界年度盛会国际电子元件会议(IEEE IEDM)有两篇重要的存储器论文：海力士及东芝发表了4Gb磁性随机存取存储器(MRAM)，用的是90纳米(nm)的制程，由于其使用3D晶体管，每位元面积大幅缩小；另一方面，三星则发表了其8Mb嵌入式MRAM，用的是28纳米的逻辑制程，是较为成熟的商业量产制程。三星这样一家以存储器为主的公司发表新嵌入式存储器产品，当然是志在逻辑代工业务。事实上，嵌入式MRAM已成为了未来半导体代工业务的竞争主轴之一。
2016/12/29
