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氮化镓高功率密度电源设计

  • 李佳玲台北

德州仪器(TI)日前推出热门培训系列课程「氮化镓高功率密度电源设计」,本课程中探讨GaN氮化镓在电路上的优势,并对比SiC、Silicon及不同芯片的差异,详细介绍TI GaN芯片的动作原理,以及建议电路散热方案,并提供电路设计范例让使用者做参考。

「氮化镓高功率密度电源设计」课程1,本节课程对於GaN芯片与其他电源芯片控制上的差异以及分析,并介绍TI GaN芯片所提供的芯片动作功能解说。「氮化镓高功率密度电源设计」课程2,本节课程对於TI GaN芯片运用前後的差异对比,在不同的型号做应用场域上的区分以及讲解,对於TI GaN芯片本身拥有的温度、电流侦测进行介绍,说明运用TI GaN的优势,并用Boost电路来解说运作原理。

「氮化镓高功率密度电源设计」课程3,本节课程对於TI GaN芯片与不同材料芯片差异对比,对於TI GaN芯片也提供了相对应的散热方案,而运用TI GaN芯片在Layout上也提供了需要注意的重点,并提供范例电路。关於上述课程详细,邀请您至TI在线培训查询。