氮化镓高功率密度电源设计

德州仪器(TI)日前推出热门培训系列课程「氮化镓高功率密度电源设计」，本课程中探讨GaN氮化镓在电路上的优势，并对比SiC、Silicon及不同芯片的差异，详细介绍TI GaN芯片的动作原理，以及建议电路散热方案，并提供电路设计范例让使用者做参考。

「氮化镓高功率密度电源设计」课程1，本节课程对于GaN芯片与其他电源芯片控制上的差异以及分析，并介绍TI GaN芯片所提供的芯片动作功能解说。「氮化镓高功率密度电源设计」课程2，本节课程对于TI GaN芯片运用前后的差异对比，在不同的型号做应用场域上的区分以及讲解，对于TI GaN芯片本身拥有的温度、电流侦测进行介绍，说明运用TI GaN的优势，并用Boost电路来解说运作原理。

「氮化镓高功率密度电源设计」课程3，本节课程对于TI GaN芯片与不同材料芯片差异对比，对于TI GaN芯片也提供了相对应的散热方案，而运用TI GaN芯片在Layout上也提供了需要注意的重点，并提供范例电路。关于上述课程详细，邀请您至TI在线培训查询。