澜起科技在业界率先试产DDR5第三子代RCD芯片
- 美通社
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上海2023年10月27日澜起科技宣布在业界率先试产DDR5第三子代寄存时锺驱动器芯片M88DR5RCD03，该芯片应用于DDR5 RDIMM内存模块，旨在进一步提升内存数据访问的速度及稳定性，满足新一代服务器平台对容量、带宽、访问延迟等内存性能的更高要求。
澜起科技DDR5第三子代寄存时锺驱动器
作为国际领先的内存接口芯片供应商，澜起科技在DDR5内存接口技术上持续精进，不断推进产品升级迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高达6400 MT/s的数据速率，相较第二子代提升14.3%，相较第一子代提升33.3%。
与DDR4时代的RCD产品相比，该款芯片采用双通道架构，支持更高的存储效率和更低的访问延时；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO电压及多种节电模式，功耗显着降低；支持更高密度的DRAM，单模块最大容量可达256GB。
澜起科技总裁Stephen Tai先生表示：「我们很荣幸在DDR5 RCD03芯片的研发和试产上均保持行业领先。澜起将继续与国际主流CPU和DRAM厂商紧密合作，助力DDR5服务器大规模商用。」
英特尔内存与IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示：「英特尔一直处于DDR5内存技术和生态系统发展的前沿，支持可靠和可扩展的行业标准。我们很高兴看到澜起科技在DDR5最新一代的内存接口芯片上取得了新进展，该芯片可与英特尔下一代E核和P核至强®CPU配合使用，助力CPU释放强劲性能。」
三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae先生表示：「三星一直致力于最新一代内存产品的研发和应用，以满足数据密集型应用对内存容量和带宽迅猛增长的需求。我们期待与澜起继续保持稳定的合作，不断完善DDR5内存产品标准，推进产品迭代和创新。」
除了RCD芯片以外，澜起科技还提供DDR5数据缓冲器（DB）、串行检测集线器(SPD Hub)、温度传感器(TS)、电源管理芯片(PMIC)等内存接口及模块配套芯片。这些芯片也是DDR5内存模块的重要组件，可配合RCD芯片为DDR5内存模块提供多种必不可少的功能和特性。
供货信息
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