富提亚科技在台积电130BCD+制程上完成eFlash IP可靠度验证，并达成200°C高温下数据保存10年的可靠度标准

富提亚科技有限公司（总部位于日本东京，以下简称「富提亚科技」）是eFlash IP（嵌入式快闪存储器矽智财）的开发商，已完成 eFlash IP（产品名称为G1）在台积电130BCD+制程上的可靠度验证。经过1万次写入和擦除操作后，G1通过了125°C数据保存10年的可靠度标准。在200°C的高温下进行同样的测试，G1仍可以保存数据10年，是目前达成最高温可靠度的eFlash IP。

图标：https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M104461/202302243226/_prw_PI1fl_ROrOlxCv.jpg 

BCD制程是可以同时在单一芯片上整合Bipolar、CMOS及DMOS元件的一种制程技术。由于BCD制程是实现「智能电源管理 IC」不可或缺的制程技术，而使其需求量日益增加。智能电源管理 IC为处理高电压和大电流的电源管理 IC 与 MCU（微控制器）的单一整合型芯片。为了在MCU中储存程序和各种参数，在BCD制程上开发非挥发性存储器矽智财，特别是eFlash IP的需求正在增加。

「热电子注入浮闸式」MTP矽智财因为几乎不需要额外的制程步骤，过去被认为是BCD制程上最容易开发的多次性存取存储器。然而此类型的MTP存在应力诱发漏电流（SILC, Stress Induce Leakage Current）导致储存数据遗失的风险，进一步造成数据未能被正确读取引发重大品质问题。因此，MTP供应商通常采用电路设计方式试图降低风险，但此举会大幅增加MTP矽智财面积，且增加IC的成本，或者导致IC面积太大而无法被系统商采用。

富提亚科技G1是基于SONOS技术的快闪存储器，它使用 Fowler-Nordheim（ FN）隧道技术来写入和擦除。G1具有以下优势：（1）重写期间的低功耗（2）IP面积小（3）由于没有SILC现象，数据保存可靠度高（4）只需要三道额外的光罩（5）测试时间短。此外，G1额外的thermal budget不会影响既有的BCD制程，所以晶圆代工厂的PDK和SPICE model不用因搭载G1而变更。因此，芯片设计公司可以沿用既有的IP资产，从而缩短IC开发时间。

G1适用于无线充电器IC、USB Type C电源IC、马达控制IC 和可编程模拟IC。一些汽车电子控制器应用已经采用G1，从多个独立元件整合成一个IC进而减少60%的PCB尺寸和80%的PCB重量。

富提亚科技社长奥山幸佑表示「公司于2011年成立后不久，我们的 G1即被用于多款智能手机IC再延伸到汽车芯片应用，同时扩展至多家晶圆代工厂和 IDM厂。G1在TSMC 130BCD +制程上完成可靠度验证将促进人们期待已久的智能电源管理IC的整合」。

关于富提亚科技

富提亚科技成立于2011年，由一群曾在日立及瑞萨开发嵌入式非挥发性存储器长达20多年的资深工程师所组成。我们透过授予半导体芯片设计商矽智财（IP）的方式，提供使用于微型计算器、电源管理芯片、传感器等芯片的嵌入式非挥发性存储器（断电后也保有储存功能），所需的制程与电路设计。相较于其他竞争性存储器技术，富提亚科技的专业技术能使嵌入式非挥发性存储器只需使用其1/1,000,000的电流就可执行写入/清除动作，并有优异的耐热性，整合在一个芯片上仅需1/3的额外成本。这些特性已经促使一家日本半导体制造商将其用于汽车微控制器，它也被台湾一家晶圆代工厂采用，作为代工厂制造的智能手机组件中的嵌入式存储器。