ROHM开发出实现业界顶级低损耗650V耐压IGBT
- 郑宇渟／台北
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ROHM推出第4代650V IGBT，适用于电动车与工业设备等高效率电源应用。ROHM
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）开发出650V耐压第4代IGBT，非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V等级产品，实现了业界顶级※低导通损耗VCE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101。
该产品透过改善制程以及包含周边结构在内的元件结构，提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。而且与低损耗特性难以兼顾的高短路耐受能力在Tj=25℃时也可达到7微秒（μs）。因此非常有助应用产品进一步提高效率和可靠性。
产品阵容包括采用TO-247N封装的「RGAxxTS65HR／RGAxxTS65EHR」共12个型号，和裸芯片形式的「SG83xxWN」共10个型号。另外ROHM也正在开发TO-247-4L封装的「RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR」共12个型号的产品。
本系列产品已于2026年5月起以每月100万个的规模投入量产（样品价格1,300日圆/个，未税）。TO-247N封装产品也开始透过电商平台进行销售。此外ROHM还提供多种设计模型和电路设计所需的数据，使用者可从ROHM官网下载。
ROHM今后计划进一步扩充同封装形式的型号阵容，并开发采用TO-263L封装和顶部散热（TSC：Top-Side Cooling）封装的小型化表面安装IGBT产品。致力透过扩充高性能的IGBT产品阵容，助力汽车和工业设备应用实现高效驱动及小型化。
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