ROHM开发出第5代SiC MOSFET 高温下导通电阻可降低约30%

ROHM推出第5时代EcoSiC SiC MOSFET，锁定电动车、AI服务器与再生能源等应用场景。ROHM

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）开发出全新一代EcoSiC—「第5时代SiC MOSFET」，非常适用于xEV（电动车）牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统，以及AI服务器电源和数据中心等工业设备电源。

ROHM在开发第5时代SiC MOSFET的过程中，透过改进元件结构并优化制程，与之前的第4时代产品相比，成功将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（Tj=175℃）导通电阻降低约30%（相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较）。在xEV牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助缩小单元体积，提高输出功率。

第5代SiC MOSFET已于2025年起提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。另外ROHM计划从2026年7月开始提供搭载第5时代SiC MOSFET的Discrete元件和模块样品。今后ROHM将进一步扩大产品阵容，同时优化设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。