创意电子发表12Gbps HBM4 IP 平台 成功展示于TSMC 2026北美技术论坛

GUC HBM4 IP Highlights。GUC

先进ASIC领导厂商创意电子（GUC）今日宣布，于TSMC 2026北美技术论坛（North America Technology Symposium）合作夥伴展区，成功展示其采用台积电3纳米制程实现之12Gbps HBM4 IP平台。该平台整合创意电子自研完整功能之HBM4控制器（Controller）与PHY IP，并结合合作夥伴之HBM4存储器，同时采用台积电领先业界的CoWoS先进封装技术。

创意电子前一代HBM3E PHY与控制器已成功导入客户3纳米产品，量产实测效能可达规格以上15%。随着JEDEC持续推动HBM技术蓝图，HBM4在带宽与容量上大幅提升，并进一步将数据汇流排宽度倍增。相较HBM3E，创意电子HBM4 IP可提供2.5倍带宽，同时在功耗效率与面积效率上分别提升1.5倍与2倍。

延续创意电子既有HBM、GLink 及UCIe IP解决方案，此次HBM4 IP亦整合proteanTecs之互连监测技术，大幅提升PHY测试与特性分析之可视性，并强化终端产品于实际运行时的效能与可靠度。

为因应3D IC架构日益成长的需求，创意电子HBM4 PHY亦支持face-up配置，可整合至台积电SoIC face-to-face 架构。创意电子在原HBM4 PHY设计中整合TSV（矽穿孔）以支持I/O 信号、电源与接地连接，并预留额外TSV供电源穿透至上层芯片，以满足上层逻辑芯片的供电需求。

创意电子技术长Igor Elkanovich表示：「我们很荣幸成为首家在TSMC 技术论坛上向客户展示12Gbps HBM4 IP 的公司。结合创意电子的UCIe与GLink-3D IP，我们可为现代3.5D系统架构提供完整的2.5D/3D IP 解决方案，包括TSMC SoIC-X on CoWoS。」

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