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AI服务器电源设计应用落地不翻车的关键一环

  • 魏于宁台北

在面向1U AI服务器设计的高功率密度电源方案中,电容器往往成为小型化的核心限制因素。随着AI算力持续提升,服务器电源的设计重心正在发生明显变化。一方面,氮化镓(GaN)等新型功率元件不断提高开关频率与效率;另一方面,服务器整体高度、功率密度与散热空间却并没有同步放宽。

在1U AI服务器形态的空间约束下,即便磁性元件和功率元件不断小型化,母线电容仍然是电源中体积占比最高、最难压缩的元件之一。这也使得电容器不再只是「配套元件」,而是直接决定电源方案能否成立的关键变量。

1U 高功率密度设计中,电容小型化面临的真实挑战。永铭

1U 高功率密度设计中,电容小型化面临的真实挑战。永铭

看起来只是体积问题  实际是多重工程约束叠加

在AI服务器电源专案中,工程师往往会同时面对多项目标要求,包含整机功率密度持续提升、电源模块体积相比传统方案压缩50%以上、长期工作温度105℃、高纹波电流工况下稳定运行、满足服务器长期高负载运行需求,容量衰减可控等。这些要求单独看并不陌生,但在1U服务器电源的空间条件下同时实现,难度会被成倍放大。

另外,很多专案在实际推进中会发现:电容体积一旦压缩,容量很难跟上;容量勉强满足,纹波电流能力却成为瓶颈,及高温 + 高纹波长期叠加后,容量衰减与温升风险迅速累积等问题。但是问题往往不是「电源能不能工作」,而是能否在高功率密度条件下长期保持稳定状态。

GaN提升了上限  也放大了对电容的要求

以纳微(Navitas)氮化镓AI服务器电源解决方案 为例:GaN技术的引入,使电源具备了下列特点,包含
更高的开关频率、更高的转换效率、更小的磁性元件体积。

但与此同时,也对输入端与母线端电容提出了更严苛的要求,例如更高的纹波电流承载能力、更高的容量密度、更严格的温度与寿命边界。在这种架构下,如果电容仍然沿用传统规格,很容易成为系统性能释放的限制点。

在实际方案中  关键不是「换电容」  而是「换设计逻辑」

在与方案商的公开合作案例中,永铭电子针对上述需求,选用了其IDC3系列液态铝电解电容器,用于GaN AI服务器电源的母线侧设计。结构形式为牛角型液态铝电解电容,这是一款以高容量密度与高纹波能力为核心定位的液态铝电解电容,目标非常明确:在体积极限下,尽可能释放系统设计空间。

以高容量密度与高纹波能力为核心定位的液态铝电解电容。永铭

以高容量密度与高纹波能力为核心定位的液态铝电解电容。永铭

真正拉开差距的  是容量密度这一项「底层能力」

在传统液态铝电解电容中,容量密度提升长期受到材料与工艺限制。与日系同类产品相比,永铭电子在体积不变的情况下,将容量密度从13.64μF/cm³提升至23.29μF/cm³,整整提升了70.7%。这一差异直接转化为系统级收益:在满足容量要求的前提下,电源模块体积可缩小约55%,这也是IDC3能够被用于1U AI服务器电源架构 的关键基础。

高功率AI场景下  纹波能力决定长期稳定性

AI服务器在实际运行中,长期处于高负载状态,对电容的纹波电流能力提出了持续而非瞬态的要求。
在该方案中(公开数据):IDC3 _450V_1400μF_D30xL70 mm电容的纹波电流能力可提升至19A,可有效减少并联数量,优化布局,降低局部热堆积风险,这不仅有助于小型化设计,也为长期运行的稳定性提供了更大的设计余量。

高温寿命  是服务器电容不可回避的现实指标

在105℃、额定电压、负载寿命测试条件下(公开数据):IDC3系列寿命大于3000H,容量衰减可控制在 8%以内这类表现,为服务器电源在高温、高负载条件下的持续运行提供了可预期的效能边界,而不是依赖「经验余量」。

系统层面的收益  往往比单颗参数更有价值

在该纳微GaN AI服务器电源方案 中(公开数据),IDC3系列电容带来的不仅是元件级优化,还包括:电源效率提升1%~2%,系统温升降低约10℃,电源模块体积显着压缩。这些改进不仅实现了小型化,最终也体现在服务器整体的可靠性与运行稳定性上。

在AI服务器电源架构持续朝高功率密度与高负载演进的趋势下,系统竞争力的差异已不再取决于单一规格指标,而是能否在实际运行条件中维持长时间的稳定与可控。

在此架构中,AI服务器电容器作为电源系统中承受高瞬态电流与电压波动的关键元件,其效能一致性与长期可靠性,正逐步成为影响电源设计成熟度与系统可扩展性的核心因素。如需进一步技术交流,可联系永铭