ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

ROHM推出超低电容ESD保护二极管，锁定车用与高速通讯应用。ROHM

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）推出兼具业界顶级※动态电阻（Rdyn）和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管「RESDxVx系列」。该系列产品适用于多种需要高速数据传输的应用领域。

近年来在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显着，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施也要求愈来愈严苛。

另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气超载（EOS）和静电放电（ESD）的耐受能力呈下降趋势。因此对于兼具「低电容（抑制高速通讯时的信号劣化）」和「凭藉低动态电阻实现出色IC保护性能」的外接ESD保护元件需求与日俱增。

尤其是在10Gbps以上的次时代通讯中，微小的寄生电容差异都可能会对通讯波形产生重大影响。然而，兼同时确保低寄生电容与动态电阻极为困难，因此如何兼顾通讯品质和IC保护，成为亟待解决的课题。

对此ROHM推出了能够解决此课题、并支持更高速通讯的RESDxVx系列产品。新产品不仅实现更低电容，更实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通讯界面，需要可将信号劣化控制在更低、且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。

新产品实现引脚间电容仅有0.24pF（双向）和0.48pF（单向）的超低电容特性。同时与该特性难以兼顾的动态电阻也降低至0.28Ω。与市场竞品相比，其钳位元电压降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。

上述优势有助提高各种高速数据通讯设备（例如AI服务器和5G/6G通讯设备等工业设备，NB和游戏机等消费性电子产品）的可靠性。另外DFN1006-2W封装的「RESDxVxBASAFH」和「RESDxVxUASAFH」符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的规范，亦适用于导入SerDes通讯的ADAS（先进驾驶辅助系统）、AD（自动驾驶）摄影机以及ECU（电子控制单元）等应用。

新产品已于2026年3月开始量产（样品价格70日圆／个，未税），并已经开始透过电商平台进行销售。
ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容，助力AI服务器、通讯基础设施、自动驾驶等电子技术的发展，为实现安全、安心且舒适的数码社会贡献力量。