常忆科技推出pFusion III 嵌入式Flash+EEPROM非接触/接触双界面卡解决方案

李懿修？台北

嵌入式非挥发性存储器解决方案供应商—常忆科技于日前推出pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接触/接触双界面卡解决方案。常忆科技所推出的0.18um pFusion嵌入式快闪存储器解决方案，已与多家晶圆合作夥伴合作生产超过3年，本次推出的0.13um pFusion 嵌入式快闪存储器解决方案，系扩展其应用领域，提供许多非接触/接触双界面卡产品更进一步降低成本之途径。此方案适用于低功率传输装置例如银行卡，NFC等。

常忆科技总经理王筱瑜表示，「这是全球独一的技术可满足智能卡的全面需求，其低功耗的擦写及500K次擦写次数可满足未来双界面卡的需求。我们可预见此技术平台的强大需求，并相信这将是晶圆厂非常重要的一个技术环节。pFusion III制程与晶圆厂的0.13um/0.11um逻辑制程兼容，客户可轻易的使用此技术平台在各种不同类型的应用。」

常忆科技业务副总林政纬指出，除了0.18um pFusion提供予嵌入式快闪存储器客户的品质、可信度及服务之外，就是其macro小、制程简单以及其涵盖广泛的应用，包括其所要求严厉的耐用周期。与现今市场上其他嵌入式非挥发性存储器解决方案比较，我们更有信心pFusion III 能符合众多的客户所要求的表现、成本及时程。pFusion III预计将于2012年第2季完成制程验证。

成立于1995年的常忆科技为P-channel快闪存储器技术的先锋，也是拥有超过60个设计、元件及技术专利的专业IC设计厂商。常忆科技以pFlash为商标，设计并销售NOR flash产品以应用于个人电脑、电子消费、网络及无线通讯相关元件，并为低容量NOR flash主要供应商之一。以pFusion为商标的常忆科技，使用其PMOS 非挥发性存储器的专利，提供合作晶圆厂嵌入式快闪存储器及嵌入式非挥发性存储器解决方案，并授权其制造各种不同的微控制器及IC卡。如欲更深入了解常忆科技的技术及产品，请参阅公司网址http://www.chingistek.com