台积电蒋尚义：14纳米面临十字路口　EUV、双重曝光2择1

台积电研发资深副总蒋尚义表示，2012年初要针对14纳米制程做评估，究竟是要采用极紫外光微影制程(EUV)还是沿用Immersion 193机台，采多重曝光(multiple patterning)方式进行，将会影响2015年量产进度，同时也呼吁设备厂要多加把劲，因为目前EUV机台效能严重落后，同时2014年要决定10纳米制程技术，如果届时EUV技术和多电子光束无光罩微影技术(multiple-e-beam maskless lithography；MEB)都无法量产，半导体制程演进将面临相当大的挑战。

EUV机台1台要价1亿美元，造价相当昂贵，台积电近期已有1台试产的EUV机台进厂房，不过公司表示，EUV机台效能严重落后，目标是每小时产出100片晶圆，但现在EUV机台每小时只能产出5片晶圆，与预期相去甚远。

据了解，艾司摩尔(ASML)提供给台积电的EUV机台为第2代NXE 3100机台，ASML未来会推出量产型机台NXE 3300机台，其量产型机台的曝光速度和瞄准率会更高。

蒋尚义表示，28纳米制程产品已开始Tape-Out，交货的产品都是fully-function，预计2012年初量产，而20纳米制程预计于2012年第3季底量产，至于14纳米制程，预计2012年初要决定研发的技术。

蒋尚义进一步表示，14纳米制程究竟要选择EUV技术或是沿用Immersion 193机台，采多重曝光(multiple patterning)方式进行，2012年初会决定，目前EUV机台效率不如预期，每小时只能产出5片晶圆，与预期的100片晶圆有很大距离，但若采用multiple patterning或是double patterning，一个动作要重复曝光2次，效率降低一半，会影响成本，导致客户不愿意导入新制程。

再者，2012年初决定14纳米的制程技术后，2015年14纳米会正式导入量产，因此14纳米制程究竟要选择哪一项技术，之后就要一直沿用，此决定对台积电相当重要。

蒋尚义也指出，接下来2014年会决定10纳米制程是采用EUV技术或是MEB技术，但若届时2种技术都无法成熟，半导体制程微缩会面临相当大的挑战，因此希望设备厂能加把劲，加速机台设备的效能。

台积电也强调，目前公司内部是EUV技术和MEB平行发展，没有特定压宝哪一项的问题。

再者，台积电18寸晶圆厂计划原本规划是在2015年，但目前18寸晶圆厂计划决定延后，据了解，是设备机台尚无法达到既定水准。

美商应用材料(Applied Materials)企业副总余定陆则表示，认同台积电提出半导体产业黄金10年的看法，设备厂会协助客户克服技术挑战，并以创新为架构，提出全面性的整合解决方案协助晶圆厂降低技术风险。