泛铨科技专注材料分析与电路修补 协助业者改善设计与制程　大幅提升良率与竞争力

由于目前电子装置愈来愈小，因此材料分析服务的样品处理愈来愈困难。无论是在样品前置处理或是结构观察阶段，都必须仰赖高度精密仪器设备，如先进的聚焦离子束FIB设备、扫描式电子显微镜SEM、穿透式电子显微镜TEM等机台，从材料的横切面、薄片等不同方式，观察材料的结构或成份，才能符合目前日益微缩且日益复杂的制程技术。

泛铨科技以「材料界设计服务中心」(Material Design Service Center)为经营定位，不仅率先领先业界引进台湾第1、第2台应用于32纳米的FEI V600CE+机台，提供电路修补(Circuit Repair)服务，更引进全球最高端的Dual Beam聚焦离子束FIB(Focused Ion Beam)机台DB Helios 450S，拥有超高分辨率的扫描SEM影像品质，提供更为快速且精确的材料分析服务。

泛铨科技表示，该公司系以材料的分析服务为技术核心与基础，并提供研发、应用等附加价值的服务，以满足客户全方位的材料问题解决需求。尤其台湾业界one-stop shopping的产业服务趋势，加上制程不断地演进，因此泛铨科技在设备仪器方面的投资一直不遗余力，随时进行机台的追加与更新，期能提供业界最先进、最具效益、最值得信赖的分析服务。此外，泛铨亦率先采用OBIRCH数码Lock-in技术，提高缺陷定位的精准度，应用在IC设计的除错与制程改善。

以泛铨的TEM为例，分析技术达到业界领先的20nm制程水准；而SEM分辨率亦达到领先业界的0.9nm@1KV。此外，并拥有最先进的低角度背向电子(LABE)影像技术，及可提供超低电压的电子束增加材料表面对比。SEM成分分析(EDS)先进设备提高Mapping速度与分辨率，达到次微米水准(<1um)。

此外，针对目前半导体热门的3D IC技术领域，泛铨在3D package失效分析方面也有布局。泛铨科技表示，3D IC失效的主要来源是TSV(矽穿孔)的缺陷，包含绝缘层Breakdown、Glue Layer的不完美及金属填充的缺陷。利用OBIRCH、FIB、CP、SEM可观察3D IC失效的TSV缺陷。

目前泛铨科技在新竹和上海张江高科技园区皆有实验室，分析设备包括电性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，结构分析的FIB、FE-SEM、TEM、AFM，成份分析的AES、EDS等各种分析仪器，并以材料分析为基础，协助产业界快速找出设计缺陷和故障成因，提供客户量产支持服务。