Cypress 推出业界首款65纳米144-Mbit SRAM存储器 大幅提升网络与信号处理应用效能

全球SRAM技术与解决方案领导厂商Cypress Semiconductor推出业界首款单片式(monolithic)SRAM，密度可达144-Mbit，是65纳米 SRAM系列元件的最新成员。

此新款144-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+存储器，采用与晶圆代工夥伴联华电子联手开发的65纳米制程技术。这些元件提供目前市场上最快速的550 MHz时脉速度、以36位元I/O的QDRII+元件提供80 Gbps总数据传输率，并且仅占90纳米SRAM一半的耗电量。这些元件适合支持各种网络应用，包括网际网络核心与边界路由器、固定与模块化以太网络交换器、3G基站与安全路由器，并能提升包括医疗成像与军事信号处理系统的效能。新款元件与90纳米SRAM的针脚可兼容，在维持相同的电路板布线的前提下，能网络客户能提升其方案效能，并可让定位表或封包缓冲区的容量倍增。

Cypress的65纳米 QDR与DDR SRAM与90纳米SRAM相比，可降低最多达50% 的待机与动态电流功耗，达成新一波的「环保」网络基础建设应用。QDRII+与DDRII+元件拥有嵌入于晶粒内的终端电阻(ODT)，由于无需使用外部终端电阻，故能提高信号完整性、降低系统成本，以及节省电路板空间。65纳米元件采用相位锁定回路(PLL)取代延迟锁定回路(DLL)，可加宽35%的Data valid window，以简化机板层级的时序收敛，并可提高与第三方厂商处理器之兼容性。