汉磊嘉晶专注宽能隙功率技术开发

汉磊嘉晶专注于宽能隙功率半导体技术开发。

近年来包括电动车及绿能电力存储等应用兴起，5G及大型数据中心和比特币矿机等高效能运算及高速数据传输需求大增，带动宽能隙半导体功率元件的相关需求。

因此，汉磊投控旗下晶圆代工厂汉磊科技与磊晶厂嘉晶电子，看好未来宽能隙半导体市场，专注于碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)等材料制程技术开发。

汉磊科技自2013年起投入碳化矽(SiC)材料制程开发，目前已拥有4寸和6寸600？1200V SBD及SiC Planar/Trench MOSFET等制程技术，及背面减薄技术。现已成功将SiC晶圆减薄至100微米，目前正积极规划调整6寸SiC晶圆代工产能，预计第4季开始接单生产，成为台湾唯一能提供6寸SiC制程的晶圆代工厂。

嘉晶电子是台湾唯一可供应SiC磊晶晶圆的磊晶厂，产品线涵盖600？1200V的4寸与6寸SiC磊晶晶圆，应用于SBD与MOSFET等元件。

此外，针对GaN-on-Si和GaN-on-SiC，嘉晶电子拥有自有专利的磊晶技术，对于生产批次间的稳定性控制具丰富经验，产品线涵盖4寸与6寸100？650V磊晶晶圆，应用于D-mode、E-mode power HEMT与RF HEMT等元件。同时SiC及GaN量产品质皆获得国际整合元件厂(IDM)大厂认可。

目前，汉磊科技与嘉晶电子也已开始1700V及3300V等高耐压的SiC的相关技术开发，未来在宽能隙功率半导体市场上将具有更大竞争优势，本次展览，汉磊科技在「化合物半导体创新应用馆」，展出自家半导体技术解决方案。