SK海力士于OCP 2025峰会展示下一代NAND快闪存储器产品战略
- 郑宇渟／台北
-
SK海力士2025年10月27日宣布，于当地时间2025年10月13日至16日在美国加利福尼亚州圣约瑟举办的「2025 OCP全球峰会」（以下简称「峰会」）上，展示了下一代NAND快闪存储器产品战略。
公司表示：「随着人工智能推理市场的快速发展，业界对能够迅速、高效处理海量数据的NAND快闪存储器产品的需求正大幅攀升。为此，公司将建立『AIN（AI-NAND）Family』产品组合，以专为人工智能时代进行优化的解决方案产品，全面满足客户的多样化需求。」
在峰会第二天举行的高管会议上，SK海力士企业级固态硬盘（eSSD）产品开发担当金千成副社长作为演讲嘉宾，介绍了AIN Family产品组合。
AIN Family在性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三方面分别优化的NAND快闪存储器解决方案产品，旨在提升数据处理速度，并实现存储容量最大化。
AIN P（Performance）是一款专为大规模AI推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案通过最小化AI运算与存储之间的瓶颈，显着提升了处理速度与能效。为此，公司正在以全新架构重新设计NAND快闪存储器与控制器，并计划于2026年底推出样品。
与之相反，AIN D（Density）则是一款旨在以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，特别适用于AI数据的存储。相较于现有基于QLC的TB（太位元组）级的SSD，AIN D可将存储容量提升至最高PB（拍位元组）级，同时兼顾SSD的高速性能与HDD的经济性，成为一种中间层存储产品。
最后，AIN B（Bandwidth）是一款通过堆叠NAND快闪存储器以扩大带宽的解决方案产品。该产品采用了公司名为「HBF」的技术。
拥有全球顶尖HBM研发与生产实力的SK海力士，为应对AI推理规模扩大、大型语言模型（LLM）发展导致的存储容量不足问题，很早便启动了AIN B的研发工作。其核心在于将高容量、低成本的NAND快闪存储器与HBM堆叠结构相结合。目前，公司正积极评估多种AIN B应用方案，包括将其与HBM协同配置以补充容量等多种灵活模式。
为扩大AIN B生态系统，SK海力士于14日晚在OCP峰会会场附近的科技中心（The Tech Interactive）与2025年8月签署HBF标准化合作备忘录（MOU）的美国闪迪公司，共同举办了「HBF之夜（HBF Night）」活动，邀请全球科技大厂公司的企业代表出席。
该活动以专题讨论会的形式进行，吸引了来自韩国及海外的多位教授参与，并汇聚了数十位业界重要架构师和技术人员。在当日的活动中，SK海力士提出了一项旨在加速NAND快闪存储器产品创新的业界合作倡议。
SK海力士开发总管（Chief Development Officer；CDO）安炫社长表示：「本次OCP全球峰会和HBF之夜活动，充分展现了SK海力士作为『全球面向AI的存储器解决方案供应商（AI Memory Solution Provider）』在以AI为主导的快速变革浪潮中所取得的成就与未来愿景。」他同时强调：「公司将通过继续与客户及各类合作夥伴携手合作，致力成为下一代NAND快闪存储器领域中面向AI存储器市场的核心引领者。」
