超赫科技率先推出GaN HEMT on SiC功率元件实测崩溃电压突破1800V

超赫科技推出GaN HEMT on SiC功率元件，实测崩溃电压突破1,800V。超赫

台湾IC设计新创公司超赫科技股份有限公司(Ultraband Technologies, Inc.)宣布，其自行研发的GaN HEMT on SiC功率元件已成功实测达到1800V崩溃电压，展现卓越的电压承受能力与高效能潜力，未来更有望持续突破极限，实现更高崩溃电压等级，提升产品应用广度与深度。

作为目前全球少数投入资源，并采用GaN HEMT on SiC平台开发功率元件的公司，超赫科技于4年前即展现超前部署与前瞻眼光，抢先市场一步投入研发，并从元件物理、磊晶材料与结构及制造流程着手优化元件。因超赫科技GaN HEMT on SiC功率元件具多项优势，有望全面改写电力电子产品规格。

技术优势：超越现有平台的性能表现

与传统的GaN HEMT on Si功率元件相比，GaN HEMT on SiC功率元件因SiC基板之故，具有较优越的散热性能，且可承受远比市售快充产品更高的功率，可大幅缩短充电时间。

若与一般SiC功率元件相比，GaN HEMT on SiC功率元件可实现更高的切换频率，降低切换损耗，且模块可更轻薄短小，此外散热效果也更好，更重要的是可达到更高的崩溃电压。

前瞻布局　抢攻高效率电源应用市场

超赫科技的功率元件包含D-mode与E-mode设计，目标应用涵盖多元市场，举例来说，若应用在电动车OBC（On-Board Charger），则可符合轻薄短小的设计需求；若使用在AI服务器电源系统，则可提供高效率、低损耗的电源转换解决方案；若运用在其他消费性电子产品，如笔记本电脑电源适配器与高功率快充充电器，可支持比市售产品更高的输出能力，大幅缩短充电时间。

规模经济逐步成形　国际大厂开始跟进

尽管早期市场对GaN HEMT on SiC成本有所疑虑，但随着市场需求成长与制程技术成熟，成本可望逐步降低，扩大市场接受度。超赫科技秉持「技术创新、前瞻布局」核心理念，持续深耕宽能隙功率半导体领域，致力于为全球提供更快速、更高效、更节能的电力解决方案。

超赫科技参与COMPUTEX TAIPEI 2025 欢迎各界莅临指导

超赫科技将于2025年5月20日至23日参展亚洲规模最大的信息与通讯技术盛会—COMPUTEX TAIPEI 2025【南港展览馆一馆／摊位编号：K1221】，将首度公开全新一代产品，并现场展示整合应用，诚挚邀请业界先进、媒体朋友与对尖端科技有兴趣的各界人士莅临交流指导。