ST 250W MasterGaN参考设计加速高效与小型化工业电源供应器设计

意法半导体250W MasterGaN参考设计加速高效与小型化工业电源供应器设计。意法半导体

为加速设计具卓越效率与高功率密度的氮化镓（GaN）电源供应器（PSUs），服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST；纽约证券交易所代码：STM）推出了搭载 MasterGaN1L系统封装（SiP） 的EVL250WMG1L共振转换器参考设计。

MasterGaN SiP将氮化镓功率元件与专为快速开关控制而优化的闸极驱动器结合，取代传统的离散元件，提升效能与可靠性，并缩短设计周期，同时节省PCB空间。

此参考设计专为空间有限且对效率要求极高的工业应用所打造。结合包含两颗650V 150mΩ氮化镓（GaN）FET的MasterGaN1L与L6599A共振控制器，该电源供应器可达到超过94%的峰值效率，且主端无需散热器即可运行。

该设计也搭配SRK2001A同步整流控制器，使整体尺寸缩小至80mm x 50mm，并达到34W/inch³的优异功率密度。

该电源供应器可提供最高10A的输出电流，相当于在24Vdc下达到250W，并且待机电流消耗低于1µA，提供优异的节能效能。L6599A和SRK2001A内建的保护功能能够有效防止过电流、短路和过电压，并且透过输入电压监控确保正确启动及欠压锁定保护。

EVL250WMG1L现已上市，完全组装并可供评估使用。完整的相关文档已发布于官网，帮助系统设计师加速氮化镓（GaN）电源专案的开发。