格棋化合物半导体获国家新创奖 碳化矽材料成实现ESG关键技术

格棋化合物半导体研发之8寸导电型碳化矽晶体。格棋化合物半导体

台湾专业碳化矽（SiC）长晶技术领导厂商格棋化合物半导体宣布以「低缺陷密度八寸碳化硅片技术（Low Defect Density of 8-Inch Silicon Carbide Wafer Technology）」荣获第21届国家新创奖－企业新创奖之肯定，该项技术不仅能提高能源效率与减少碳排放，更能促进绿色技术的普及，对于推动地球永续有积极助益。格棋副总经理赖柏帆表示：「格棋核心团队投入高品质碳化矽（SiC）长晶技术研发将近10年，此次获奖是对格棋在创新技术和卓越品质方面的高度肯定，也证明我们致力推动绿色科技和永续发展正走在对的道路上。」

格棋以「低缺陷密度八寸碳化硅片技术」展现新创价值与市场竞争力

2050净零碳排已是全球共识，碳化矽（SiC）在提升能源效率、推动再生能源发展、加速电动车普及、延长设备寿命及减少资源浪费等方面具有显着优势。这些特性使其在实现ESG目标中扮演关键角色，特别是在应对气候变迁、推动绿色能源过渡以及促进社会可持续性方面，碳化矽（SiC）材料都将成为关键技术。

由于碳化矽（SiC）晶圆的生产涉及高温条件和复杂制程工艺，致使良品率较低且低缺陷密度产率低；然而，格棋凭藉将近10年的高品质碳化矽（SiC）长晶技术研发投入，透过热场参数控制、原材料物性控管、籽晶沾黏技术、模块设计与组装等四大优势，有效控制大尺寸碳化硅片的致命缺陷，展现商用大尺寸晶圆的制造能力，尤其在4H单晶碳化矽的领域中，晶圆效能接近甚至超越8寸碳化矽长晶技术效能的水准。此外，格棋更在BPD（基底面差排）、TED（刃型差排）、TSD（螺旋差排）、EPD（蚀刻坑密度）四项密度测试中，展现媲美一线大厂的低缺陷密度产品品质，再次证明格棋拥有国际级的竞争实力。

格棋提供虚拟IDM和多样性产品服务，以满足市场日益成长的多元需求

格棋致力于晶体生长和晶圆的技术开发和制造，不断追求更精细的制造流程和品质优化，以严格的原材料物性控管，降低材料杂质并稳定长晶过程；精确的籽晶沾黏技术，控制籽晶的定位，促进晶体均匀生长；先进的热场参数控制技术，防止晶体热裂和结晶缺陷的产生；精密的模块设计与组装，避免晶体污染和模块变形。凭藉四项核心技术优势，格棋有效降低晶体的线缺陷、面缺陷以及体缺陷，进一步提升功率元件的效率、可靠性、稳定性及使用寿命。

为满足市场日益成长的多元需求，格棋提供弹性化的产品组合，包括碳化矽晶体（SiC Ingot）、碳化硅片（SiC Wafer）、碳化矽籽晶（SiC Seed）和碳化矽磊晶晶圆（SiC EPI Wafer），并透过虚拟IDM模式，整合上下游价值链，依照客户属性，整合包含加工、磊晶、设计、制造、元件等厂商，简化服务窗口与供应链服务客户。展望未来，格棋将持续推进技术创新，期盼带动化合物半导体产业的长远发展。