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安森美将收购碳化矽JFET技术 强化AI数据中心电源产品组合

  • 吴冠仪台北

安森美宣布已与Qorvo达成协定,以1.15亿美元现金收购其碳化矽接面场效晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。 该收购将补足安森美的EliteSiC电源产品组合,使其能应对人工智能(AI)数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求,还将加速安森美在电动汽车断电开关、固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。

SiC JFET的单位面积导通电阻超低,比任何其他技术低近一半。 它们还支持使用矽基晶体管几十年来常用的现成驱动器。 综合这些优势, SiC JFET的采用能够加快开发速度,减少能耗并降低系统成本,为电源设计人员和数据中心营运商提供显着的价值。

安森美电源方案事业群总裁暨总经理Simon Keeton表示,随着Al工作负载日趋复杂和耗能,能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将愈来愈重要。」随着Qorvo业界领先的SiC JFET技术的加入,安森美的智能电源产品组合为客户提供多一种最佳化能耗、提高功率密度的选择。

该交易预计将于2025年第1季完成。