安森美加速碳化矽创新 助力推进电气化趋势

面对不断升级的气候危机和急剧成长的全球能源需求，世界各地的政府和企业都在为宏大的气候目标而携手努力，致力于减轻环境影响，实现可持续未来。其中的关键在于推进电气化趋势，以减少碳排放并提高再生能源利用率。为加速全球电气化转型，安森美推出了最新一代碳化矽技术平台EliteSiC M3e MOSFET，并披露计划将在2030年前推出多代新产品。

安森美电源配置事业群总裁Simon Keeton表示，电气化的未来依赖先进的功率半导体，而电源创新对于实现全球电气化和阻止气候变化至关重要。如果电源技术没有重大创新，现有的基础设施将无法满足全球日益成长的智能化和电气化交通需求。我们正在积极推动技术创新，计划到2030年大幅提升碳化矽技术的功率密度，以满足日益增加的能源需求，并助力全球电气化转型。

在这一过程中，EliteSiC M3e MOSFET将发挥关键作用，推动提升下一代电气系统的效能和可靠性，同时降低每千瓦成本，从而加速普及电气化举措并强化实施效果。该平台能够在更高的开关频率和电压下运行，同时可有效降低电源转换损耗，因此对于电动汽车动力系统、直流快速充电桩、太阳能逆变器和储能方案等广泛的汽车和工业应用至关重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET将促进数据中心向更高效、更高功率转变，以满足永续人工智能引擎日益成长的能源需求。

凭藉安森美独特的设计工程和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET在值得信赖且经过实际验证的平面架构上显着降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比，该平台能够将导通损耗降低30%，并将关断损耗降低多达50%。透过延长SiC平面MOSFET的寿命并利用EliteSiC M3e技术实现出色的效能，安森美可以确保该平台的坚固和稳定性，使其成为关键电气化应用的理想选择。

EliteSiC M3e MOSFET还提供超低导通电阻和抗短路能力，这对于占据SiC市场主导地位的主驱逆变器至关重要。1200V M3e芯片采用安森美先进的分立和功率模块封装，与之前的EliteSiC技术相比，能够提供更大的相电流，使同等尺寸主驱逆变器的输出功率提升约20%。换句话说，在保持输出功率不变的情况下，新设计所需的SiC材料可以减少20%，成本更低，并且能够实现更小、更轻、更可靠的系统设计。

此外，安森美还提供更广泛的智能电源技术，包括栅极驱动器、DC-DC转换器、电子保险丝等，并均可与 EliteSiC M3e平台配合使用。透过优化和协同设计功率开关、驱动器和控制器的端到端一体化组合，安森美将多项进阶特性整合在一起，并降低了整体系统成本。

未来十年，全球能源需求预计会急剧增加，因此迫切需要提高半导体的功率密度。安森美正积极遵循其碳化矽技术发展蓝图，不仅引领裸片架构上的创新，还致力于探索新型封装技术，以此持续满足产业对更高功率密度的广泛需求。

每一代新的碳化矽技术都会优化单元结构，在更小的面积上高效传输更大的电流，进而提高功率密度。结合自身先进的封装技术，安森美将能显着提升效能并减小封装尺寸。透过将摩尔定律引入碳化矽技术的开发，安森美同时研发多代产品，持续推动实现其发展蓝图，以达成在2030年前加速推出多款EliteSiC新产品。

安森美电源配置事业群技术行销高级总监Mrinal Das表示，凭藉数十年来在功率半导体领域积累的深厚经验，不断突破技术瓶颈，在工程和制造方面实现创新，以满足全球日益成长的能源需求。碳化矽的材料、装置与零组件和封装技术之间存在很强的相互依赖性。掌控这些关键技术，因此能够自主控制设计和制造过程，更快地推出新一代产品。

EliteSiC M3e MOSFET采用产业标准的TO-247-4L封装，样品现已上市。