Littelfuse推出用于SiC MOSFET的低侧栅极驱动器

Littelfuse公司是工业技术制造公司，致力于为永续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。

IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉／灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器还能提供使用者可选的负闸极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。此驱动器的工作电压范围（VDD - VSS）高达35V，具有出色的灵活性和效能。

IX4352NE的突出功能之一是配备内部负电荷泵调节器，无需外部辅助电源设备或DC/DC转换器。此功能对于关断SiC MOSFET尤其实用，可节省外部逻辑电平转换器电路通常所需的宝贵空间。逻辑输入与标准TTL或CMOS逻辑电平兼容，进一步增强了节省空间的能力。

卓越的性能使其成为电动车、工业、替代能源、智能家庭和建筑自动化市场中要求严格的电力电子应用的理想选择。

凭藉其全面的功能，IX4352NE简化了电路设计并提供了更高的整合度。内建保护功能，如具有软关断灌电流驱动器的去饱和检测（DESAT）、欠压锁定（UVLO）和热关断（TSD）等，可确保功率元件和闸极驱动器得到保护。整合的开漏FAULT输出向微控制器发出故障信号，增强了安全性和可靠性。此外，IX4352NE还能节省宝贵的PCB空间并提高电路密度，有助于提高整体系统效率。

新款IX4352NE与接脚兼容，可无缝替换指定使用现有Littelfuse IX4351NE的设计，该设计于2020年发布。

LittelfuseIC部（SBU）产品经理June Zhang表示，IX4352NE透过一种新型9A拉／灌电流驱动器扩展了广泛的低侧闸极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的闸极驱动电路。其各种内建保护功能和整合式电荷泵提供了可调的负闸极驱动电压，能提高dV/dt抗扰度和关断速度。 因此，该产品可以用来驱动任何SiC MOSFET或功率IGBT，无论是Littelfuse装置还是市场上任何其他类似装置。