EPC推出具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
- 吴冠仪／台北
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EPC推出采用紧凑型QFN封装（3 mm x 5 mm）的100 V、1 mOhm GaN FET（EPC2361），助力DC/DC转换、快充、马达控制和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。
宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm （EPC2361）。 这是具有低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代産品相比，功率密度提高了一倍。
EPC2361的RDS（on）典型值只有1 mOhm，采用耐热的QFN封装，顶部裸露，封装面积只有3 mm x 5 mm。 EPC2361的RDS（on）最大值x 面积仅为15 mΩ*mm2 – 比等效100 V矽MOSFET的体积小超过五倍。
凭藉超低导通电阻，EPC2361可在电源转换系统中实现更高的功率密度和更高的效率，从而降低能耗和散热。 它为多种应用诸如高功率 PSU AC/DC同步整流、数据中心的高频 DC/DC 转换、电动汽车、机器人、无人机和太阳能 MPPT 的马达控制器，带来突破性的效能。
宜普电源转换公司的CEO兼联合创始人Alex Lidow表示，EPC的新型1 mΩ GaN FET 突破了氮化镓技术的极限，助力客户创建更高效、更小和更可靠的电力电子系统。
EPC90156开发板是一款采用半桥EPC2361 GaN FET ，专为100 V最大元件电压和xx A最大输出电流而设计，旨在简化功率系统设计人员对氮化镓元件的评估过程，以加快产品的上市时间。 此板的尺寸为2寸 x 2寸（50.8 mm x 50.8 mm），专为实现最佳开关效能而设计，而且包含所有关键组件以便于评估。
若要订购EPC产品，可透过EPC的授权经销合作夥伴购买或可以直接向EPC网站订购。
