EPC推出具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET 智能应用 影音
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EPC推出具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

  • 吴冠仪台北

EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC转换、快充、马达控制和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。

宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm (EPC2361)。 这是具有低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代産品相比,功率密度提高了一倍。

EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐热的QFN封装,顶部裸露,封装面积只有3 mm x 5 mm。 EPC2361的RDS(on)最大值x 面积仅为15 mΩ*mm2  – 比等效100 V矽MOSFET的体积小超过五倍。

凭藉超低导通电阻,EPC2361可在电源转换系统中实现更高的功率密度和更高的效率,从而降低能耗和散热。 它为多种应用诸如高功率 PSU AC/DC同步整流、数据中心的高频 DC/DC 转换、电动汽车、机器人、无人机和太阳能 MPPT 的马达控制器,带来突破性的效能。

宜普电源转换公司的CEO兼联合创始人Alex Lidow表示,EPC的新型1 mΩ GaN FET 突破了氮化镓技术的极限,助力客户创建更高效、更小和更可靠的电力电子系统。

EPC90156开发板是一款采用半桥EPC2361 GaN FET ,专为100 V最大元件电压和xx A最大输出电流而设计,旨在简化功率系统设计人员对氮化镓元件的评估过程,以加快产品的上市时间。 此板的尺寸为2寸 x 2寸(50.8 mm x 50.8 mm),专为实现最佳开关效能而设计,而且包含所有关键组件以便于评估。

若要订购EPC产品,可透过EPC的授权经销合作夥伴购买或可以直接向EPC网站订购。