Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件

Transphorm, Inc.推出两款采用4引脚TO-247封装（TO-247-4L）的新型SuperGaN器件。新发布的 TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET器件分别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的矽衬底氮化镓制程，该制造制程不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常适合现有矽基生产线量产。目前，50毫欧 TP65H050G4YS FET已可供货，35毫欧TP65H035G4YS FET正在出样，预计将于2024年一季度供货上市。

一千瓦及以上功率级的数据中心、再生能源和各种工业应用的电源中，Transphorm的4引脚SuperGaN器件可作为原始设计选项，也可直接替代现有方案中的4引脚矽基和SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关效能，从而为使用者提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中，与导通电阻相当的SiC MOSFET相比，35 毫欧SuperGaN 4引脚 FET器件在50千赫兹（kHz）下，损耗减少15%，而在100 kHz下的损耗则降低了 27%。

Transphorm业务发展及市场行销资深副总裁Philip Zuk表示，Transphorm将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什麽样的设计需求，Transphorm都能够说明客户充分利用SuperGaN平台的效能优势。四引脚TO-247封装的SuperGaN为设计人员和客户带来提供极佳的灵活性，只需在矽或碳化矽器件的系统上做极少的设计修改（或者根本不需要进行任何设计修改），就能实现更低的电源系统损耗。Transphorm正在加速进入更高功率的应用领域，