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意法半导体推出新款射频LDMOS功率晶体管

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意法半导体推出新款射频LDMOS功率晶体管。意法半导体
意法半导体推出新款射频LDMOS功率晶体管。意法半导体

意法半导体(STMicroelectronics;ST;纽约证券交易所代码:STM)所推出的STPOWER LDMOS晶体管产品家族最近新增数款产品,该产品家族有三个不同的产品系列,皆可针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)进行优化设计。

STPOWER LDMOS的产品特色为高效能和低热阻,封装芯片可处理高射频功率的封装,兼具短传导通道和高崩溃电压,这些特点使射频功率放大解决方案具备成本效益、低功耗和高可靠性等优势。

新STPOWER LDMOS IDCH和IDDE两个系列是28V/32V共源N通道加强式横向扩散金属氧化物场效应射频功率晶体管,并扩大了产品的目标应用范围。IDCH系列的输出功率为8W到300W,为最高作业频率4GHz的应用而专门设计,包括2.45GHz工业、科学和医疗(ISM)设备、无线基础设施、卫星通讯、航空电子和雷达设备。该系列LDMOS元件适用於所有类型的调制格式。

IDDE系列则包含10W-700W产品,用於最高频率1.5GHz的商业、工业和科学宽频通讯,可在所有相位承受10:1的负载电压驻波比(Voltage Standing Wave Ratio;VSWR),适用於所有典型的信号调制格式,亦适用於大多数类别的射频功率放大,包括A类、AB类和C类。高效能表现可最大限度地减少达到目标输出功率所需能量,降低运作成本和散热量,简化热管理设计,以达到更紧凑的系统。

意法半导体的IDEV系列也推出了新的50V共源N通道加强式横向场效应射频功率晶体管。IDEV产品组合的输出功率范围为15W到2.2kW,设计用於最高频率250MHz之工业、科学和医疗设备,包括驱动高功率CO2雷射器、电浆产生器、MRI系统、88MHz–108MHz的广播调频无线电发射机,以及频率高达1.5GHz的航空电子设备和雷达。该系列适用於所有典型调制格式以及A类、AB类和C类功率放大器。

在高频(3-30MHz)到250MHz频率范围内,效能强大的IDEV系列能够提供最高2.2kW的连续波(Continuous-Wave;CW)输出功率,采用单层陶瓷封装,因此减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体管的总数量。

效能高出82%,有助於将系统功耗需求降至最低,并确保系统运作可靠,设计简单的散热管理。意法半导体在这三个产品系列内总共推出了30款新STPOWER RF LDMOS产品,采用工业标准封装。更多信息,请造访官网