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ROHM内建SiC二极管IGBT损耗比传统产品减少67%

  • 陈毅斌台北

ROHM推出内建SiC二极管IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」损耗比传统IGBT产品减少67%有助降低车电和工控装置功耗。ROHM
ROHM推出内建SiC二极管IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」损耗比传统IGBT产品减少67%有助降低车电和工控装置功耗。ROHM

半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极管的IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」。

该产品适用於电动车(xEV)充电器和DC/DC转换器,以及太阳能发电用的功率稳压器等,处理大功率的车电装置和工控装置。近年来,在全球「无碳社会」和「碳中和」等环保风潮中,电动车(xEV)得以日益普及。

为了进一步提高系统效率,各种车电装置的逆变器,以及转换器电路中使用的功率半导体等,也出现了多样化需求,超低损耗的SiC功率元件(SiC MOSFET、SiC SBD等),和传统的Si功率元件(IGBT、SJ-MOSFET等)也都正持续大幅度的技术革新。

ROHM致力於为广泛应用提供有效的电源解决方案,不仅专注於领先业界的SiC功率元件,更积极研发Si功率元件和驱动IC的技术及产品。

本次就开发出了能为车电、工控装置提供更高CP值的Hybrid IGBT。「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT产品,在IGBT的回流单元(飞轮二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC萧特基二极管(SiC SBD),成功降低了传统IGBT产品导通时的切换损耗(以下称「导通损耗」)。

本产品使用在车电充电器时,与传统IGBT产品相比,损耗可降低67%,与SJ-MOSFET相比,损耗可降低24%,有助以更高的CP值进一步降低车电和工控装置应用的功耗。新产品已於2021年3月开始出售样品,预计将於2021年12月起暂以每月2万个的规模投入量产。

另外,ROHM官网上还免费提供评估本系列产品时所需的丰富设计数据,包括驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等,各类型的支持以利产品快速导入市场。

损耗比传统IGBT产品降低67%  提供车电和工控装置更高的CP值并符合AEC-Q101标准  可在恶劣环境下使用

「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT,该IGBT的回流单元(飞轮二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与传统使用Si快速恢复二极管(Si-FRD)的IGBT产品相比,可大幅降低导通损耗,例如在车电充电器应用中的损耗,比起传统IGBT产品可降低67%。与通常损耗小於IGBT的SJ-MOSFET相比,损耗也可降低24%。

在转换效率方面,新产品可以在更广的工作频率范围中确保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作频率下,效率比IGBT提高3%,有助以更高的CP值进一步降低车电和工控装置应用的功耗。新产品符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」,即使在较严苛的环境下也可以安心使用。