光鼎电子第7代IGBT新产品—电源系统提高效能与稳定性的绝佳方案

光鼎电子的IGBT产品组合。包含6款新产品全部采用第7代微沟槽芯片设计与制造技术。PCA0N065GH7S为定制化产品，目前尚未供应大众市场。光鼎电子

继2024年第2季成功推出第7代微沟槽技术的分立式IGBT新产品后，光鼎电子（PARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD.）于近日宣布将于2025年第1季针对中高功率的伺服马达驱动控制、UPS不断电系统、太阳能逆变器、工业感应加热器、储能与智能并网系统等相关应用再推出6款延续第7代微沟槽（Micro-Pattern Trench；MPT）IGBT芯片先进技术设计及制造的新产品。

包含4款TO247-3Plus封装的高效能离散式（Discrete）产品及2款与英飞凌EconoDUALTM3（ED3）封装兼容的半桥电路结构高功率模块（Power Module），为应用市场提供更高效能与稳定性的绝佳解决方案。

光鼎电子这次推出的4款TO247-3Plus封装的产品其散热金属面积比标准TO247-3封装增加大约18%，能有效降低芯片热阻及工作温度，从而提高了电源系统的稳定性、寿命，同时降低冷却系统成本。

值得注意的是，1200V/60A规格的新解决方案产品也即将提供标准的TO247-3封装版本（新型号暂定为PC60N120AH7S），让客户设计电源系统时有更多的选择。

针对较高功率的应用，光鼎电子这次推出两款额定规格为1200V/600A和1200V/450A的高效能IGBT模块产品。两款型号均采用标准半桥结构，内建负温度系数电阻能为客户提供过温度保护功能。而其采用的与英飞凌产品EconoDUALM3（ED3）兼容的扁平封装，能有效提高客户电源系统的功率密度。

光鼎电子功率半导体事业部业务及行销副总经理洪敏清（Eric Hung）表示，无论是分立式或功率模块IGBT产品，光鼎电子都致力于采用先进的第7代MPT芯片技术进行设计与制造。除了提供更高的工作效能外，光鼎的第7代IGBT技术还实现了极高的芯片生产良率，彰显了光鼎的IGBT产品成熟、可靠和稳定的品质- 这些关键优势使光鼎IGBT产品在竞争激烈的行业中脱颖而出。

此外，这些IGBT新产品还具有多项优势，包括高达175°C的最高工作结温以及高温条件下优异的短路电流能力和过载测试性能。这些特性确保客户的电力系统即使在满载或恶劣的环境条件下也能保持电源系统高稳定性和延长使用寿命。此外，更宽的适用开关频率范围可实现零件整合，能有效降低采购成本。

光鼎电子董事长马景鹏认为，有监于IGBT是各种电力电子系统的关键元件之一，IGBT的效能与品质稳定除了直接影响整体系统性能，在物料管理及系统失效带来的隐性成本方面也是至关重要的关键因素。

光鼎电子是台湾证券交易所上市公司，自1987年成立以来一直是LED设计和制造领域的全球领导者之一，其中持续产品创新与自有产线的品质严格管控等方面的核心专业能力是保持竞争优势的关键。

近年更积极发挥竞争优势拓展功率半导体新业务领域，为业界少数拥有先进的第7代IGBT功率晶体管产品线及封装测试厂的优势品牌，在众多市场品牌中，光鼎IGBT产品性能优异，能为客户的电源系统提供更高效能与更高稳定度等重要价值。

光鼎电子拥有ISO 14001, ISO 9001, IATF 16949等品管认证，功率半导体产品均经过JEDEC的六大项可靠度测试，从进料检验到产品出货，关键过程都通过SPC的控制，产品的稳定性和一致性经实际验证后市场接受度相当高，已经获得大中华区几家策略客户的认可并持续导入各种应用，例如工业伺服马达驱动控制、不断电系统、工业太阳能逆变器（PV inverter）及储能电源管理设备等，未来也会导入电动车直流快充的充电桩应用。