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高效能IGBT-光鼎电子掌握新的市场契机

  • 郑宇渟台北

光鼎电子第七代IGBT新产品与国际大厂第六代IGBT性能提升的FOM曲线比较图。光鼎电子
光鼎电子第七代IGBT新产品与国际大厂第六代IGBT性能提升的FOM曲线比较图。光鼎电子

LED设计和制造领域的全球领导品牌之一的光鼎电子(PARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD.)近日宣布针对伺服马达驱动控制、光伏逆变器及工业储能、电源供应器PFC设计等应用推出650伏及1200伏电压规格5款离散式IGBT产品。其更高效能与更高功率密度的产品特性预计将获得市场客户的高度关注。

光鼎电子新推出的5款IGBT产品中有4款为TO247-3封装及1款TO220-3。TO247-3封装的型号及最大电压电流规格分别为PC50N065AH7S (650V, 50A)、PC75N065AH7S(650V, 75A)、PC40N120AH7S(1200V, 40A)及PC75N120GH7S(1200V, 75A),且都能承受瞬间短路至少5微秒(5uS)的能力。另外TO220-3封装的型号为PC50N65BH7,电压电流规格为650V, 50A。

高效能IGBT-光鼎电子掌握功率半导体的市场新契机。光鼎电子

高效能IGBT-光鼎电子掌握功率半导体的市场新契机。光鼎电子

光鼎电子功率半导体事业部业务及行销副总经理洪敏清表示,光鼎电子的IGBT新产品具有更高效能、更高功率密度、更大范围切换频率特性,还有有经验丰富且专业的品管团队把关品质,而自有封测厂具有成本管控及产能调配快速出货等重要的优势,能高度配合客户生产计划的弹性调整。

5款IGBT新产品都是采用业界最先进的第7代微沟槽(Micro-Pattern Trench;MPT)设计技术,优秀的效能表现实测数据比业界第6代IGBT提升20%~30%(如下图IGBT FOM测试曲线),芯片操作温度可达175°C,能让客户的电力电子系统在长时间满载输出时的芯片温度显着较低并维持系统稳定度,尤其是在无风扇或是工作环境温度较严苛的各种工业应用中能让客户的系统有更长的使用寿命。

值得一提的是光鼎电子这5款IGBT产品切换频率为宽频设计,从1KHZ到65KHZ皆适用,最佳使用切换频率范围为5KHZ到55KHZ。更宽广的切换频率能让客户的不同系统实现型号共享以降低采购成本。光鼎电子也欢迎客户提供定制产品规格以支持客户端系统环境的各种不同特殊应用状况以快速提升产品竞争力。

光鼎电子董事长马景鹏认为,有监于IGBT是各种电力电子系统的关键元件之一,IGBT的效能与品质一致性除了直接影响客户的系统性能表现,也是客户采购成本及系统失效成本的重大关键。虽然现在市面上已经有许多的品牌供应商,但光鼎电子以其长期累积的品质管控优势能力与专业经验严格把关产品出货的品质,能对客户的产品价值做出更大的贡献。

其公司拥有ISO 14001, ISO 9001, IATF 16949等品管认证,功率半导体产品均经过JEDEC的六大项可靠度测试,从进料检验到产品出货,关键过程都通过SPC的控制,产品的稳定性和一致性经实际验证后市场接受度相当高,并已经获得大中华区几家策略客户的认可并持续导入各种应用,例如医疗电源、工业伺服马达驱动控制、工业太阳能逆变器(PV inverter)及储能电源管理设备、工业用UPS不断电系统等,未来也会导入电动车直流快充的充电桩应用。

光鼎电子成立于1987年,并于2008年在台湾证券交易所上市(股票代号6226),为LED设计和制造领域的全球领导者之一,并于于9年前成立了光学实验中心提供客户光学解决方案,并将服务扩展到LED模块的设计与制造。近年不仅在缅甸仰光设立封装工厂以因应全球市场快速变动的需求,更积极以其核心能力在功率半导体领域拓展新事业。更多相关信息请参阅光鼎电子官网


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