创意电子展示全球第一款7.2 Gbps HBM3 CoWoS平台

创意电子HBM3 CoWoS平台的主要特点。创意电子

先进ASIC领导厂商创意电子(GUC)宣布，使用SK海力士(SK hynix)首次发布的HBM3样本，完成了7.2 Gbps HBM3解决方案的矽验证。该平台于台积电2022北美技术论坛(TSMC 2022 NA Technology Symposium) 展示，包含HBM3控制器、实体层、GLink-2.5D晶粒对晶粒界面，以及112G SerDes。此平台可支持台积电CoWoS-S(矽中介层)以及CoWoS-R(有机中介层)先进封装技术。

此平台包含多个HBM3存储器、GLink-2.5D晶粒对晶粒界面以及112G-LR通道，打造出符合CPU/GPU/人工智能(AI)/网络(Networking)芯片的使用情境。创意电子除了建立架构并设计SoC、中介层和DFT、实体布局、高功率且高速的封装之外，也与台积电合作CoWoS封装以及最终测试。

创意电子目前正在申请专利的解决方案，能以任何角度完成HBM3 IP和存储器之间在中介层上的汇流排布线，同时仍保有与直线型HBM汇流排布线相同的信号宽度和空间。与传统的直角锯齿形HBM汇流排布线相比，此专利布线更短、信号完整性更佳、速度更快且功耗更低。创意电子另一个正在申请专利的解决方案，可将HBM3存储器汇流排拆分至位于两个SoC芯片上的实体层，以便在2:6 或 2:10 的 SoC:HBM3存储器使用情境下充分利用HBM3的带宽。

创意电子控制器、实体层和平台所使用的SK海力士HBM3，能提供最高819 GB/s的带宽。SK海力士DRAM商品企划担当柳成洙表示：「我们验证了这款全球第一个最佳效能的HBM3，并开始量产。透过这次合作，SK海力士与创意电子也确认了双方在HBM生态系统内的合作关系。我们非常高兴能藉由这次的合作机会，验证全球最佳的 HBM3解决方案，并巩固双方于DRAM市场的领导地位。」

创意电子副总经理徐仁泰博士则表示：「我们很荣幸能与台积电及SK海力士合作，展示并证明业界首个HBM3解决方案。我们的HBM3控制器和实体层，是奠基于创意电子在CoWoS/HBM2产品上长久以来的量产经验。而7.2 Gbps的高传输速度，也使得我们能随时因应客户对速度持续不断升级的要求。创意电子的优势，在于我们拥有 HBM3、GLink-2.5D及GLink-3D IP产品组合、CoWoS、InFO_oS、3DIC设计专业知识、封装设计、电气和热模拟、DFT和生产测试，以及量产制造经验，因此能够协助客户顺利开发CPU/GPU/AI/网络产品并快速量产。」更多相关信息 。