化合物半导体应用成关注焦点 供应链齐聚探讨未来发展

「化合物半导体前端制程关键技术研讨会」，开场由创技工业张延瑜博士分享第SiC晶圆加工制程磨抛技术探讨。台湾电子设备协会

随5G与新能源等应用成另一波半导体市场显学，化合物半导体产业发展也是市场近年极为重视的领域，有监于此，金属工业研究发展中心与台湾电子设备协会于日前举办「化合物半导体前端制程关键技术研讨会」，就制程设备、检测与应用等各项环结进行完整且深入的探讨。

创技工业张延瑜博士以矽化硅片加工制造为题，分享碳化矽在制造端的研抛技术发展走向，从碳化矽的材料特性开始介绍，讨论加工难度以及损伤层的影响，并介绍研磨、轮磨、抛光与电浆辅助加工／蚀刻制程的加工原理与设备。张博士表示，抛光技术可以分为单片抛光与批次抛光两类。单以抛光速率来说，以单片抛光的作法居于领先，尤其是已有设备业者能达到24um/hr的水准，但若以整体产能表现来看的话，则是以选用大型批次抛光设备具优势，以4寸晶圆来说，最高每小时可产出超过56片以上的晶圆。

抱朴科技丁肇诚董事长则是以芯片缺陷技术发展为题进行分享，性质厚度、薄膜内部的组成、折射率、绝缘与半绝缘与洁净度等。丁董事长以3nm、5nm等FinFET晶体管结构为例，其内部的通道数是由薄膜的厚度来决定，至于厚度要如何测量，一般业界最标准的作法是采取TEM(穿透式电子显微镜)来处理。此外，他也介绍一些业界使用的非破坏性量测方法，像是Thermal wave技术，这种作法在业界也相当常见，再透过干射条纹所取得量测数值与理论值进行比对，借此了解量测标的厚薄。

鸿镓科技王兴烨执行副总所讨论的题目，是氮化镓磊晶技术暨元件应用为题，广泛地讨论氮化镓相关的技术发展与终端应用，像是氮化镓本身就是适用于高频、宽能隙、较高的导热率等，皆会让氮化镓元件的特性达到较高的操作频率与较高的操作温度，甚至是较低的导通损耗等，以应用面来说，则会以对应的基板来互相搭配，若是以碳化矽做为基板，那麽氮化镓就会适用于5G基站射频与卫星应用，以矽为基板，则是消费性电子、车用与电源供应器等为产品为主。