企业级SSD搭载缺口拉抬 传DDR4 8Gb第3季合约价涨幅飙破5成 智能应用 影音
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企业级SSD搭载缺口拉抬 传DDR4 8Gb第3季合约价涨幅飙破5成

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    韩青秀台北

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存储器价格第3季上涨幅度显着,随着eSSD拉动DDR4需求,传单季涨幅上看5成。李建梁摄(数据照)
存储器价格第3季上涨幅度显着,随着eSSD拉动DDR4需求,传单季涨幅上看5成。李建梁摄(数据照)

存储器2026年第3季合约价陆续谈定,外界本估计受到先前基期已高,第3季报价涨幅可望趋缓,但供应链业者透露,DRAM或Flash涨价显着,且大幅超越原先预期。其中,AI带动企业级SSD(eSSD)需求暴增,导致DDR4 8Gb DRAM供需缺口恐延续长达两年。

在缺口难以填补下,传出台系存储器厂第3季DDR4 8Gb合约价,涨幅上看5成。

供应链人士指出,存储器价格从2025年下半陆续起涨,合约价一路飙升至第3季,市场普遍认为价格涨势将略停歇,较保守者认为涨幅区间收敛至10~20%。但目前看来,对不同颗粒与容量的需求结构出现分化,主要依照其终端应用领域的消长变化而定,整体报价上涨的趋势并未改变。

以DDR4为例,虽DDR4 16Gb现货价格居高不下,甚至比同规格DDR5更贵已成常态,不过实际端应用以PC为主,随PC需求趋弱,DDR4 16Gb合约价调涨空间较受压抑。

DDR4 8Gb第3季合约价则持续强势拉高,受到产能严重不足,部分业者传出,接获台系存储器厂告知,在第3季DDR4 8Gb将较第2季大涨5成,突破原本市场预期的价格天花板。如今台厂DDR4报价更高于三星电子(Samsung Electronics)同规格产品。

业界指出,企业级SSD为了处理高随机读写、降低延迟,必须配置独立DRAM芯片,主流规格以每1TB的NAND Flash、搭配1GB的DRAM为基准。但随AI推论与大型数据中心全面转向高容量SSD规格,导致企业级SSD朝16TB ~30TB或更大容量迈进。

三大国际原厂已相继淡出DDR4生产,三星仅保留给少数长期合作客户,而美光(Micron)近期在美国弗吉尼亚州马纳萨斯(Manassas)厂启动1α制程的DDR4与LPDDR4量产,主系为确保车用、国防、航太、医疗等长生命周期市场的稳定供应。

因此相较于AI推论带动企业级SSD需求爆量成长,以市场总需求进行对照,目前南亚科与华邦电提供的DDR4产能,将远低于实际市场需求,业界认为,此供需缺口恐将延续2年。

除了DDR4 8Gb维持强劲成长,DDR3合约价延续向上成长,主系DDR3 4Gb与DDR4 4Gb颗粒的应用具有共通性,特别在网通与TV领域有高度重叠。

其中,网通需求在下半年订单能见度仍相对乐观,且受产品规格限制,对DDR3需求续热。TV应用曾一度转向DDR4 8Gb,但随DDR4价格续涨,许多大客户又退回至DDR3 4Gb,DDR4 4Gb价格在下半年延续上涨,也带动DDR3 4Gb价格获得支撑。

近期华邦电、南亚科也陆续将现有产能转移至DDR4作为主力产品,使得DDR3产出供应明显减少,包括工业、物联网与网通设备等应用厂商,也选择转向采购DDR3,甚或更低端DDR2的存储器产品,不仅促使晶豪科、钰创等受惠,也带动旧时代存储器需求与价格跳增。

以7月初现货价格来看,DDR34Gb(512Mx8)颗粒的平均报价达到12.75美元,而DDR5 16Gb(2Gx8)的平均价格约为47.07美元,但若以每Gb单位价格来看,DDR3 4Gb的每Gb单位价格约为3.19美元,甚至高于DDR5 16Gb 的每单位价格2.94美元,反映出在物以稀为贵的情况下,老旧时代在每单位的位元成本,反而超越主流的DDR5产品。

相关供应链亦表示,不仅DRAM出现合约价长尾效应,SLC NAND从2026年初以来,半年涨幅超过倍数成长,而MLC NAND也成为炙手可热的稀缺资源。业界预期,随着市场普遍上涨趋势,2026年下半在SLC以及MLC NAND,仍将存在价格上扬空间。

从南亚科、华邦电、旺宏6月营收观察,其单月营收涨幅几乎实际反映出合约价涨幅。由于各家目前产能供应已满载,短期内难有新增产能贡献,虽然3家业者对于逐月或逐季议价的比重各有不同,使得营收涨幅节奏各有落差,但在存储器供需严峻下,卖方主导推动合约报价上扬,并呈现出存储器业者在调配产品比重与客户分配的经营策略。

责任编辑:何致中