Cambridge GaN Devices为电机控制带来 GaN优势

Cambridge GaN Devices为电机控制带来 GaN优势。Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，致力于开发多种节能的氮化镓（GaN）器件，以实现更环保的电子元件。CGD正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发GaN在电机控制应用中的参考设计和评估套件（EVK）。

CGD旨在加快GaN功率IC在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）应用中的使用，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。 Qorvo在为其PAC5556A高性能BLDC／PMSM电机控制器和驱动器设计的EVK中采用了CGD的ICeGaN（IC 增强型GaN）科技。

CGDCEOGiorGIA LONGOBARDI表示：「与其他同行提供的GaN效能不同，我们提供的ICeGaN HEMT提供了界面电路，没有整合控制器； 囙此通过与高度整合的电机控制器和驱动IC进行简单的结合，IceGaN就可以由例如Qorvo的 PAC5556A 600 V高性能BLDC／PMSM电机控制器和驱动器的驱动器轻松驱动。 我们很高兴与Qorvo合作，使其电机控制器和驱动器应用尽享GaN带来的益处。」

Qorvo功率管理事业部总经理JEff Strang表示：「GaN和碳化矽（SiC）等宽禁带晶体管因凭藉其更高的功率密度和效率优势而被积极用于各种电机控制应用中。 CGD的ICeGaN产品提供了易用性和可靠性，这些是电机控制和驱动设计师关心的两个关键因素。 我们很高兴看到设计工程师将CGD的ICeGaN与我们高度整合的PAC5556A 600V无刷直流电机控制解决方案相结合时的反应。」

GaN带来的多种益处包括：更低的损耗，从而带来更高的效率，进而新增了功率可用性和产生更少的热量。 这减少了对复杂、庞大和昂贵的热管理解决方案的需求，从而产生更小、更强大、寿命更长的系统。 GaN还可以在低速时提供更高的扭矩，囙此可以实现更精确的控制。 此外，GaN可实现高速开关，这可以减少可听杂讯，这对于吊扇、热泵和冰柜等家电尤其重要。

除了易用性之外，与其他GaN器件相比，ICeGaN还提供了以下几个显着的优点。 ICeGaN的闸极驱动电压与IGBT兼容。 由于ICeGaN在GaN IC内整合了米勒箝比特，所以不需要负关断电压，并且可以使用低成本的电流驱动器。 最后，ICeGaN内嵌电流传感功能，简化了电路设计并减少了物料清单（BOM）。

关于Cambridge GaN Devices

英商剑桥氮化镓器件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）专注于GaN晶体管和IC设计、开发及商业化，致力于推动能源效率和提高功率密度层面的根本变革。提供各种简便节能的GaN解决方案，以便将创新成果带入日常生活。CGD的ICeGaN技术已被证实适合大规模生产，公司正在快速扩展，制造商和代理商的合作夥伴关系也陆续到位。

CGD是从剑桥大学分立出来的无晶圆厂半导体公司， 创始人兼CEOGiorgia Longobardi博士及技术长Florin Udrea教授等公司创始人仍与剑桥大学享有盛誉的高电压微电子及传感器小组（HVMS）维持密切合作。在CGD专注推动创新的努力下，ICeGaN HEMT技术取得一系列强大且持续扩展的IP组合，享有坚实可靠的智能财产保障。CGD团队所拥有的技术和商业专业知识，加上在电力电子市场受到的肯定与良好记录，是公司专有技术在市场上获得认可的基础。