林育中专栏

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林育中

DIGITIMES顾问

现为DIGITIMES顾问，1988年获物理学博士学位，任教于中央大学，后转往科技产业发展。曾任茂德科技董事及副总、普天茂德科技总经理、康帝科技总经理等职位。曾于 Taiwan Semicon 任谘询委员，主持黄光论坛。2001~2002 获选为台湾半导体产业协会监事、监事长。

极紫外光刻的发展现状

1996年底，一具甫抵桃园机场的深紫外光刻（DUV）步进机被特殊载具以每小时低于10公里的龟速运至园区三期，三期中的柏油路是特别为载运机台协调园区管理局刚舖好的，这速度和路况是设备公司的技术要求。这是台湾第一台DUV机台，用于0.35μm制程，这当然只是牛刀小试。

异质整合时代的封装测试议题

委外封装测试（Out-Sourced Assembly and Testing；OSAT）产业一年全球销售额近300亿美金，在整个半导体产业一年近5000亿的产值中不太显眼，但却是半导体产业材料、设备、设计、制造、封测等加值环节中不可或缺的一环。

敬悼胡定华先生

先讲轶事。我服务的公司座落于旺宏对面，胡先生时任旺宏董事长。有一天我在总经理室开会，蓦地里对面旺宏的排气管里冒出一缕白烟。在科学园区中，环、安、卫都是头等大事，会后我找厂务去旺宏的同行问问，厂务回：没事，只是试俥时所排放的水蒸汽。但几天后行业中听到友厂厂务的八卦，旺宏同仁还是被狠狠的念一顿，因为胡先生的标准是：连被怀疑污染的空间也不可以有。这位半导体的先驱自律之严堪称典范，让以后半导体设立减少了很多来自社会的环保阻力。

宽能隙半导体的发展近况

GaN(氮化镓)与SiC（碳化矽）这两种宽能隙（wide band gap）半导体在大陆被称之为第三代半导体，这是相对于第一代Si、第二代化合物半导体如GaAs(砷化镓)而言的，它们的共同特性是带隙比传统半导体材料矽要宽的多。

软件定义硬件的发展近况

去年DARPA在ERI(Electronics Resurgence Initiative)中有一项计划叫Software Defined Hardware(SDH)，其实这是半导体行业的老议题了，但是因为机器学习的应用而又升温；兼之在半导体产业进入异质整合时代，半导体的经济价值增加要依赖制程微缩以外的方法，SDH又重新进入半导体研发的核心领域。

加速前进的二维晶体管

随着3nm实施日程的相继公布，摩尔定律似乎一步一步的走向尽头。然而以二维材料为主轴的二维晶体管发展也一日快似一日，这就是俏皮话说的more Moore∼摩尔定律依然在走。

半导体产业与政府政策

在我进入半导体行业后读的第一次份产业报告中，当时全世界DRAM的厂家尚有26家。有些现在产品线早已移转、在半导体业界鲜有听闻的如冲电气（OKI）都还在列中，NEC、Toshiba虽然已过其「花团锦簇、油烹鼎沸」的峰期，犹高居2、3名。

3nm的竞争—三星的多桥通道场效晶体管

三星在5月刚开过的代工论坛中宣布了3nm的工艺，从原来的鳍式场效晶体管（FinFET）改为多桥通道场效晶体管（Multi-Bridge-Channel FET；MBCFET）。这是闸极全环场效晶体管（Gate-All-Around FET；GAAFET）的一种，不是新创举，但是现在元件物理严苛的要求让其实施的必要性成熟了。

半导体成国之大事　政府做法和角色宜调整

韩国的半导体政策4月正式出炉，擘划的是由今至2030年长达10年的国家政策和执行方法。主要的目标是建立代工和设计的生态圈，成为全世界第一。投入的资源包括政策、税收、资金、教育与人力资源、硏发、建立公共平台、创造产业需求以及公共工程采购等，动员的规模比之美国的量子信息计划有过之而无不及。

二维材料于场效晶体管的应用

场效晶体管(Field Effect Transistor；FET)的核心是通道(channel)，材料是半导体。它的一边接源极(source)，一边接汲极(drain)，这两个是场效晶体管中载子(carrier)的来处与去处。通道上有一层绝缘体，之上还有闸极(gate)，用来控制晶体管开关。当闸极施加电压，底下的半导体变成导体，电流从源极流到汲极，这时处于「开」的状况。电压移去后，晶体管就回复「关」的状况，这是半导体的ABC——控制，电子线路一切都是关于控制。

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