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林育中
  • DIGITIMES顾问
现为DIGITIMES顾问，1988年获物理学博士学位，任教于中央大学，后转往科技产业发展。曾任茂德科技董事及副总、普天茂德科技总经理、康帝科技总经理等职位。曾于 Taiwan Semicon 任谘询委员，主持黄光论坛。2001~2002 获选为台湾半导体产业协会监事、监事长。
脑机界面以及语音合成
脑机界面（Brain Machine Interface；BMI）开发迄今有15年了，最近有令人兴奋的进展：将神经活动解译成语音。这是基础科研以及医疗界的携手进展，而下一步—或长或短—或将要连动电子业了。
2019/5/23
矽光子与机器学习芯片的初发
虽然矽光子已开始进入半导体发展的近程视界，但是除了通讯的天然应用外—光纤的信号出来可是光，其可能的应用会落在哪个领域很令人好奇。
2019/5/16
下一个决战点：逻辑芯片与存储器芯片的异质整合
我刚入半导体产业的时候，英特尔(Intel)是半导体业产业的庞然巨人，市值与其他同业有数量级的差距。于1984年自DRAM撤退后，专心致力于CPU的版图、成就霸业。卅几年光景过去，产业变成英特尔、三星电子(Samsung Electronics)、台积电三分天下。而且在摩尔定律尚未尽的路途上，英特尔看来走得有些步履蹒跚了。可是路途犹未了，接下来这个领先群争些什麽？
2019/5/9
可解释的人工智能
从几年前人工智能热起来后，可解释(explainable)一词瞬间变成显学。机器学习在许多领域取得不错的成绩，表现要再上层楼、消除错误、避免在关键时刻下错误的指令，就要理解机器学习的学习过程、建立模型以及下指令的机制。
2019/5/2
材料科学与工程的典范移转—兼论政府政策与内部研发策略
2011年美国国家科学技术委员会与科学技术办公室共同发布了材料基因图谱计划(Materials Genome Initiative；MGI)，目的在于加速材料科学与工程的发展、降低开发成本。
2019/4/25
延长摩尔定律的二维材料发展现况与挑战
去年3月ASML在其投资者会议发表了一份半导体产业逻辑与存储器的技术进程，预计在2022年半导体业界将到达3nm的制程。之后呢？2nm要到2030年，一个以往的典型一个时代进程居然要花8年之久！
2019/4/18
具潜力的纳米金属导线材料：砷化铌
这几年纳米材料的进展在半导体及相关领域迅速开展，速度令人眩目惊心。先是去年下半年发现拓朴绝缘体(topological insulator)锑化铋(BiSb)可以用来做为SOT MRAM的磁化翻转机制导线材料，数量级的大幅降低所需电流与功耗、提昇写入速度。3月底才于《Nature Materials》[1]发表的砷化铌(NbAs)则对未来半导体深纳米金属连线提供了极有潜力的材料。
2019/4/11
SOT MRAM的原理与发展近况(二)
SOT MRAM既然使用了不同于STT MRAM的翻转机制，在元件结构上也自然不同。STT MRAM的读、写电流均直接垂直通过MTJ；而SOT MRAM的读取电流如旧，但写入电流则依靠与自由层平行邻接的材料中流过的电流，带动二者界面上的自旋轨道作用所产生的转矩，用以翻转自由层的磁矩。
2019/3/28
SOT MRAM的原理与发展近况(一)
最近pSTT MRAM逐渐在各大代工厂进入量产阶段，初步的工程工作算是一个阶段的完成。有时候pSTT MRAM又叫做第三代MRAM，代与代之间基本上是以翻转磁矩的机制来区分的。
2019/3/21
存储器运算的可能趋势
依据von Neumann架构，计算机中存储器和控制单元是分离的，这也是目前计算机及相关的半导体零件制造的指导方针。但是在目前海量数据的处理与储存上，这样的架构对数据的「读取—处理—储存」循环在数据传送速度、功耗上形成重大挑战。特别是存储器本身因写入速度、保留时间等的特性差异，从cache、DRAM、NAND等形成复杂层层相转的存储器体制(memory hierarchy)，让数据的处理循环变得更长、更耗能。
2019/3/14
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