英特尔18A良率传优于三星2纳米 但仍苦追台积电N2
- 徐畇融／综合外电
市场传出，英特尔（Intel）下一代的Intel 18A（1.8纳米级）制程节点研发进展顺利、良率稳定提升，已超越三星电子（Samsung Electronics）2纳米SF2制程节点的良率，但仍落后于台积电的2纳米N2制程节点良率。
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