三星1c DRAM量产在即 力图改写HBM4战局
- 陈玟静／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）成功开发出采用10纳米级制程的第六代1c DRAM，并进入量产前的最后阶段。距离2025年下半量产第六代高带宽存储器（HBM4）的目标，再向前迈进一步。据韩媒Money Today、E...
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