安森美超车英飞凌成SiC二哥 传欲降低IGBT比重 智能应用 影音
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安森美超车英飞凌成SiC二哥 传欲降低IGBT比重

  • 黄女瑛台北

功率半导体三剑客包括崛起中的第三类半导体碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN),与第一类矽基(Si)。2024年SiC基板量产有效突破,打通全产业链任督二脉,对Si威胁潜力增大,未来恐促使相关业者进行一、二类产品比重调整。 第...

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