三星HBM4用DRAM良率传未达60% 力拼2026年内实质提升
- 陈玟静／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）传将于2026年内，完成第六代高带宽存储器（HBM4）所用DRAM良率的实际提升。尽管目前三星的10纳米1c DRAM良率虽已比预期提升得更快，但在HBM4的生产上，却传出实质有效良率仍有待进一步改善。
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