IBM携手科林开发High-NA EUV与新乾式光阻 目标突破1纳米制程
- 李佳翰／综合报导
美国IBM与半导体制造设备供应商科林研发（Lam Research）宣布启动为期5年的合作计划，将共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外光（EUV）技术与新型乾式光阻（Dry Resist）材料，目标将逻辑芯片制程推进至1纳米以下节点。
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