ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 减少应用损耗并实现小型化
- 林岫／台北
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半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）针对服务器等工控设备，和AC适配器等消费性电子设备的一次侧电源，推出集结了650V GaN HEMT和闸极驱动器等技术的Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。
近年来为了实现永续发展社会，对消费性电子和工控设备的电源提出了更高的节能要求。针对上述需求，GaN HEMT因有助提高功率转换效率和实现元件小型化被寄予厚望。然而与Si MOSFET相比，GaN HEMT的闸极处理较为困难，必须与驱动闸极用的驱动器结合使用。在此市场背景下，ROHM结合了擅长的功率和类比两种核心技术优势，开发出集结功率半导体—GaN HEMT和类比半导体—闸极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为新时代功率半导体的GaN元件能更轻易地被导入。
新产品中汇集了新时代功率元件650V GaN HEMT、能够大幅发挥GaN HEMT效能的专用闸极驱动器，以及追加功能和周边元件。另外新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），具备支持一次侧电源各种控制器IC的效能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET／以下称 Si MOSFET）。
与Si MOSFET相比，元件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和小型化。
新产品已于2023年6月开始量产，另外新产品及对应的三款评估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）也已开始透过电商平台销售。
林昆祈General Manager, PSADC（Power Semiconductor Applications Development Center）, Delta Electronics, Inc.说到：「由于GaN元件对设备小型化和节能化有极大的贡献，因此近年引发了业界对GaN元件的高度关注。本次新产品采用的是ROHM独家类比技术，实现了高速且安全的闸极驱动。这将进一步推动GaN功率元件的应用，十分令人期待。」
应用范例
适用于内建一次侧电源（AC-DC或PFC电路）的各种应用。
消费性电子：大型家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调
工控设备：服务器、OA设备
